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訂 貨 號(hào):TN2106K1-G 品牌:Microchip
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
這款低閾值增強(qiáng)型(常閉)晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用。
無(wú)次級(jí)擊穿
低功率驅(qū)動(dòng)要求
易于并聯(lián)
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩(wěn)定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 280 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類(lèi)型 | TO-236AB |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 5 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 360 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 長(zhǎng)度 | 3.04mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 1.4mm |