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Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速切換特性和較低的電容。它主要用于開關(guān)電源。
低漏 - 源導(dǎo)通電阻 0.075 ?
存儲溫度 -55 至 150°c
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 30 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | { f1 to { f1 -247 } { f1 4L ( t } |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.09. Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |