Infineon mos ?設計是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術，它是根據(jù)超級連接（ sj ）原理設計的，由 Infineon 技術公司率先開發(fā)的。最新的 cool mos ? P7 是一款經(jīng)過優(yōu)化的平臺，專為消費市場中的成本敏感型應用而定制，如充電器、適配器、照明、電視等

由于 fom rds （接通） *qg 和 rds （接通） *eoss 極低的損耗
產(chǎn)品驗證符合dec 標準
低切換損耗（ eoss ）
集成 esd 保護二極管