ON Semiconductor MOSFET 漏極?μ V 至?μ V 電源電壓為 60 V ，柵極?Ω 至?μ V 電源電壓為 ±20 V
體積小巧 (5 x 6 mm)，可實現緊湊設計
低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
?器件無鉛且符合 RoHS 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
