當(dāng)前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





訂 貨 號:IRF7530TRPBF 品牌:IR/國際整流器
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個(gè) HEXFET? 設(shè)備,以便在板空間要求嚴(yán)格的高元件密度設(shè)計(jì)中提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠節(jié)省空間的切換解決方案。 提供各種封裝選項(xiàng),設(shè)計(jì)人員可以選擇雙 N 通道配置。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 5.4 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | MSOP |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 30 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 1.3 W |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -12 V、+12 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 3mm |
| 長度 | 3mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |