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+比較
Vishay n 溝道 80 v ( d-s ) mosfet 采用 powerpak so-8 封裝類型、漏極電流為 86 a 。
trench場 效應(yīng)第四代功率 mosfet
極低 RDS - Qg 品質(zhì)因數(shù) (FOM)
調(diào)諧到最低 RDS - Qoss FOM
經(jīng)過 100% rg 和 uis 測試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 86 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | Powerpak so-8 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.00415 Ω |
最大柵閾值電壓 | 1 → 2.4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |