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Vishay 半導體 SI3473CDV-T1-GE3 是 6 引腳, 12 V , 8 A ,表面安裝 P 通道 MOSFET ,通常用于負載開關(guān)和 PA 開關(guān)。
無鹵,符合 IEC 61249-2-21 定義
TrenchFET? 功率 MOSFET
PWM 優(yōu)化
符合 RoHS 指令 2002/95/EC
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 8 A |
最大漏源電壓 | 12 V |
封裝類型 | TSOP6 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 6 |
最大漏源電阻值 | 36 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | -1V |
最小柵閾值電壓 | -0.4V |
最大功率耗散 | 4.2 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±8 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 1.7mm |
典型柵極電荷@Vgs | 43 nC @ 10 V |
長度 | 3.1mm |
最高工作溫度 | +150 °C |