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      Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SI7900AEDN-T1-GE3      品牌:Vishay/威世

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
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      Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      雙 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 6 A
      最大漏源電壓 20 V
      封裝類型 PowerPAK 1212
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 36 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 0.4V
      最大功率耗散 1.5 W
      晶體管配置 共漏極
      最大柵源電壓 -12 V、+12 V
      晶體管材料 Si
      寬度 3.15mm
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數(shù)目 2
      典型柵極電荷@Vgs 10.5 nC @ 4.5 V
      長度 3.15mm
      暫無
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