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Infineon MOSFET 專為汽車應(yīng)用設(shè)計,這種 HEXFET? Power MOSFET 的蜂窩狀平面設(shè)計利用最新的處理技術(shù)來實現(xiàn)每硅面積的低導(dǎo)通電阻。
先進的平面技術(shù)
低導(dǎo)通電阻
動態(tài) dv/dt 額定值
175°C 工作溫度
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 31 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | DPAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |