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訂 貨 號(hào):SIS126DN-T1-GE3 品牌:Vishay/威世
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
N 通道 80V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
RDSX QG 極低功耗 (FOM)
針對(duì)最低的 RDS X QOSS FOM 進(jìn)行了調(diào)整
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 45.1a. |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類(lèi)型 | PowerPAK 1212 |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 12.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 52 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 3.15mm |
| 長(zhǎng)度 | 3.15mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 21.1 nC @ 10 V |