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      STMicroelectronics STD12N60DM6 MOSFET

      訂 貨 號:STD12N60DM6      品牌:Tronics

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
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      STMicroelectronics STD12N60DM6 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      STMicroelectronics 高電壓 n 溝道功率 mosfet 是 mesh DM6 快速恢復(fù)二極管系列的一部分。與之前的 mesh 快速生成相比、 DM6 結(jié)合了極低的恢復(fù)電荷( qrr )、恢復(fù)時間( trr )和每個區(qū)域的 rds (接通)極佳改進、具有市場上最有效的切換行為之一、適用于最嚴苛的高效橋接拓撲和 zvs 相移轉(zhuǎn)換器。

      快速恢復(fù)體二極管
      與上一代相比、每區(qū)域的 rds (接通)更低
      低柵極電荷、輸入電容和電阻
      通過 100% 雪崩測試
      dv/dt 穩(wěn)定極高
      提供齊納保護


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 10 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 TO-252
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 390 米Ω
      最大柵閾值電壓 4.75V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無
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