on ON Semiconductor 60V 功率 mosfet?169 a 的漏極電流、具有單 n μ a 通道。它具有更低的切換噪聲 /emi 、有效減少傳導損耗。
低 rds （接通）可有效減少傳導
低電容、有效減少驅動器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 169 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0025. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
