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IXYS IXYN82N120C3H1 IGBT

訂貨號(hào)：IXYN82N120C3H1 品牌：IXYS/艾賽思

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列

IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術(shù)，可降低熱電阻和能源損耗。這些設(shè)備提供快速切換時(shí)間，具有低尾線電流，并提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和專(zhuān)有封裝。

高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達(dá)額定擊穿電壓
短路容量，確保 10usec
正向通態(tài)電壓溫度系數(shù)
可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和專(zhuān)有高電壓封裝

IGBT 分立元件和模塊，IXYS

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	105 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	500 W
封裝類(lèi)型	SOT-227B
安裝類(lèi)型	表面貼裝
通道類(lèi)型	N
引腳數(shù)目	4
開(kāi)關(guān)速度	20 → 50kHz
晶體管配置	單
尺寸	38.2 x 25 x 9.6mm

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