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Infineon IHW50N65R6 是 650 V , 50 A IGBT ,帶單自由集成二極管,采用 TO-247 封裝,帶單自由集成二極管,設(shè)計用于使用半橋諧振拓撲滿足感應(yīng)加熱應(yīng)用的嚴苛要求。
頻率范圍 20-75 kHz
低 EMI
非常緊密的參數(shù)分布
最大工作 TJ 為 175 °C
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 最大連續(xù)集電極電流 | 83 A |
| 最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 251 W |
| 封裝類型 | PG-TO247-3 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |