Infineon IGBT 晶體管具有 650 V 穿透電壓，晶體管最大結溫為 175°C。
在硬切式和諧振拓撲中具有同類最佳的效率
采用即插即用方式取代上一代的 IGBT
適用于太陽能轉換器、不間斷電源、焊接轉換器
中到高開關頻率轉換器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 42 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | 20V |
| 晶體管數 | 1 |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 封裝類型 | TO-220-3 |
| 配置 | 單 |
