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訂 貨 號(hào):FP50R12KE3BOSA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發(fā)射極電壓為 1200 V,全部功耗為 280 W,最大柵極閾值電壓為 6.5 V。
內(nèi)部隔離基本絕緣(1 類,IEC 61140)
柵極-發(fā)射極峰值電壓 + /- 20 V
集電極-發(fā)射極飽和電壓 2.30 V
柵極-發(fā)射極泄漏電流 400 nA
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 最大連續(xù)集電極電流 | 75 A |
| 最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 280 W |
| 晶體管數(shù) | 7 |