開關頻率很高的現代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導體器件兩端的浪涌電壓保護電容器（如EPCOS B32620-J或B32651..56）通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導體器件起到了保護作用，使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。

浪涌電壓保護電容器的選擇

半導體器件的額定電壓和電流值及其開關頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值，因此，對于這種應用而言，薄膜電容器是恰當之選。

在額定電壓值高達2000VDC的條件下，典型的電容額定值在470PF～47NF之間。對于大功率的半導體器件，如IGBT，電容值可高達2.2ΜF，電壓在1200VDC的范圍內。

浪涌電壓保護電容器的選擇

不能僅根據電容值/電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護電容器時，還應考慮所需的DV/DT值。

耗散因子決定著電容器內部的功率耗散。因此，應選擇一個具有較低損耗因子的電容器作為替換。