當前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設計技術的發展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過采用專項技術，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開了CMOS圖像傳感器在微光領域應用的序幕。隨著對微光CMOS圖像傳感器研究的進一步深入，在不遠的未來，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求，在微光器件領域占據重要地位。

　　讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉換成后續信號處理電路可以處理的電信號，它的噪聲水平限制著CMOS圖像傳感器在微光下的應用。微光條件下像素的輸出信號十分微弱，任何過大的電路噪聲、偏移都可以將信號湮沒，因此提高讀出電路輸出信號的SNR是微光設計的關鍵之一。本文采用的新型電容反饋跨阻放大型讀出電路CTIA電路，可以提供很低的探測器輸入阻抗和恒定的探測器偏置電壓，在從很低到很高的背景范圍內，都具有非常低的噪聲，其輸出信號的線性度和均勻性也很好，適合微弱信號的讀出。

　　1電路設計

　　為完成探測器輸出電流向電壓的精確轉化，所設計的電路由CTIA和相關雙采樣(CDS)組成，CTIA由反向放大器和反饋積分電容構成的一種復位積分器。其增益大小由積分電容確定。圖1為典型CTIA電路結構。

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　　圖1典型CTIA結構

　　當Reset信號為高時，MOS開關開通，由運算放大器的虛短特性可知，輸入端的電壓與Vref相等，此時積分電容兩端電壓相等，都為Vref.當Reset信號變為低電平時，MOS開關關斷，由于輸入端的電壓由Vref控制，因此在積分電容Cf右極板上產生感應電荷并慢慢積累，右極板電壓逐漸增大，積分過程開始。最后電壓通過相關雙采樣電路讀出。

　　2關鍵單元電路設計

　　2.1高增益低噪聲CTIA電路

　　為了提高讀出電路的增益，使電路能在比較短的積分時間內，讀出PA級的電流，電路中的積分電容要非常小。同時為了提高信噪比，在減小積分電容的同時，電路噪聲也要減小。在新型電路結構中，采用T型網絡電容加nmos開關，電路結構如圖2所示。

　　圖2高增益低噪聲CTIA電路

　　由于C1和C2的作用，使得Cf在CTIA反饋回路中的有效值減少，其有效值為：Cfb= ( C2Cf)/(Cf +C1+C2)，這樣Cf可以取相對較大的值，避免了使用小電容，因為小電容在工藝上較難實現，且誤差較大。在本電路中，Cf=20 fF，C2=18 fF，C1=150 fF，則Cfb=2 fF.

　　圖3為該電路的工作時序。

　　圖3高增益低噪聲CTIA電路工作時序

　　該電路可工作在高增益模式或低增益模式。在高增益模式，當reset為高電平時，gaIn導通，這時有效電容為Cf，當reset為低電平時，gaIn關斷，此時的積分電容為Cf、C1和C2組成的T型網絡電容，這樣保證了電路在復位時大電容，可有效降低噪聲，積分時小電容，可大大提高增益。當gaIn一直為高電平時，電路工作在低增益模式。

　　2.2相關雙采樣

　　相關雙采樣電路由兩組電容和開關組成，電路工作過程如下。首先，開始積分，R導通，相關雙采樣電路先讀出像素的復位信號，存儲Vreset電壓到電容Creset中。積分完成，開關S導通，將電壓Vread儲存到電容Csig中。最后，將存儲在兩個電容之上的電壓值相減得到最終的像素輸出電壓值：

　　Vout=Vouts -Voutr

　　這種結構可以很好的消除CMOS圖像傳感器中像素的復位噪聲、1/f噪聲以及像素內的固定模式噪聲。

　　3噪聲分析

　　CMOS讀出電路中包括光探測器、MOS管和電容3種元件。光探測器和MOS管是讀出電路的主要噪聲源，這些噪聲包括：一方面光探測器和MOS管的固有噪聲;另一方面由讀出電路結構和工作方式引起的噪聲。

　　3.1光探測器噪聲

　　復位噪聲是由復位管引入的一種隨機噪聲。當像素進行復位時，復位管處于飽和區或亞閾值區，具體狀態取決于光電二極管的電壓值。復位管導通時可以等效為一個電阻，而電阻存在的熱噪聲將引入到復位信號形成復位噪聲。其大小與二極管的電容有關，復位噪聲電壓為

　　，其中k為波爾茲曼常數、T為溫度，C為二極管的等效電容。復位噪聲本質上是一個熱噪聲，具有隨機性，只能夠減小而不能夠徹底消除。在本電路中，C=1.3 P，Vn=56μV。

　　散粒噪聲是指由于電子的隨機到達而引起器件中電流的隨機波動。因此，散粒噪聲與流過器件的電流大小相關，并且服從泊松分布。散粒噪聲與熱噪聲相區別，熱噪聲在沒有任何電壓或平均電流的條件下同樣存在，而散粒噪聲在沒有電流條件下不存在。像素的散粒噪聲與像素中的電流相關，包括光電流、暗電流。其計算公式如下：

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　　光電流散粒噪聲與照度有關，很難消除。與暗電流有關的散粒噪聲可以通過改變摻雜濃度減小暗電流，但這會降低量子效率。在本電路中，In=100 fA，Is=20 pA，Tint=20μs，C int =2 fF，則Vdarkn=0.28 mV，Vsn=4 mV。