縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲器市場，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據了市場主流，其中EEPROM的供應廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導地位，FRAM只有美國RAMTRON公司一技獨秀，而采用SRAM+BAKBAT方式的廠家，目前DALLAS占據了大部分市場空間，國內也有幾家公司提供類似產品，其中比較知名的如HK等。以上幾種產品性能方面各有優缺，其中EEPROM的市場應用范圍最為廣泛，其缺點也是路人皆知，寫入速度慢，至少 10ms的寫等待時間，而且寫操作次數有限制；FRAM鐵電存儲器的優點在于其操作速度很快，能夠達到標準SRAM的速度，而且寫操作次數特別高，最低能夠實現100億次的寫操作，但其讀寫時序與標準SRAM有差別，目前還沒有做到完全兼容；采用SRAM+后備電池是一種傳統而古老的非易失存儲方式，這種方式由于DALLSA的大力推廣又獲得了新生，此方式的優點在于芯片能夠與標準的SRAM完全兼容，而且操作速度非常快，但是缺點也是非常明顯的，芯片體積很大，占據太多的電路板空間，而且芯片內部的電池存在使用環境的限制，并且如果電池電量耗盡，那么所有的數據都將丟失。

　　德國ZMD公司研發了采用另外一種方式的非易失性存儲器nvSRAM，它采用了全新的SRAM+EEPROM方式，實現無須后備電池的非易失性存儲，芯片接口、時序等與標準SRAM完全兼容。這樣就方便用戶直接替換DALLAS、HK等公司的同類產品，或者可以方便地將原來電路中的SRAM換成ZMD公司的nvSRAM，而無須更改電路。

　　ZMD公司的nvSRAM有兩種操作模式，SRAM模式與非易失性模式。

　　在SRAM模式中，存儲器可以像普通的靜態RAM一樣操作，SRAM可以讀寫無限次，且讀寫訪問時間小于25ns，所有的nvSRAM都是以字節方式組織的。

　　在非易失性模式中，數據從SRAM中保存進EEPROM中(STORE操作)，或者從EEPROM回讀至SRAM中(RECALL操作)。STORE和RECALL可能會按下面的方式開始：

　　1、在系統上電或者下電時，自動開始STORE或者RECALL操作。

　　2、通過軟件序列或者硬件信號，由用戶控制開始STORE或者RECALL操作。

　　一旦STORE和RECALL周期開始后，SRAM的進一步輸入輸出便被禁止，直至周期結束，片上的STORE和RECALL控制單元控制數據在SRAM與EEPROM之間轉移。

　　在任何時間，幾毫秒之內SRAM中的數據就可以被存儲于EEPROM中，數據可以寫進EEPROM中至少10萬次，從EEPROM中讀出數據至SRAM中的次數是沒有限制的，nvSRAM保證數據從上一次保存周期結束后可以至少保存45年以上，它保證在芯片調換時或者未來電壓突然中斷時，數據不會丟失。