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　　從CPU到GPU，從內(nèi)存到顯存再到閃存，各種芯片都在搞3D堆疊工藝，而堆疊最狠的，絕對是三星電子的3D V-NAND閃存。TechInsights最近拆解了三星最新的48層3D V-NAND，被其精湛的工藝徹底征服了。

　　拆解對象是三星最新的移動固態(tài)硬盤T3 2TB，應(yīng)用了2015年8月份發(fā)布的3D V-NAND TLC閃存顆粒，每個晶粒(Die)的容量為256Gb(32GB)，編號“K9AFGY8S0M”。

　　這塊硬盤PCB的正反面安裝了四顆閃存芯片，編號“K9DUB8S7M”，每顆容量512GB，內(nèi)部封裝了16個我們想要探索的48層堆疊3D V-NAND晶粒。

　　16顆晶粒相互堆疊以及采用傳統(tǒng)線鍵合技術(shù)連接的封裝橫截面。 這些晶粒的厚度只有40微米，是迄今所見封裝中最薄的，相比之下三星上代32層堆疊3D V-NAND中的晶粒厚度約為110微米。