在我們很多工業(yè)及消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品應(yīng)用中，使用開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)供電可以減小體積；對(duì)于電源的輸出負(fù)載主要是繼電器及MCU等簡(jiǎn)單的控制系統(tǒng)；追求小體積電源系統(tǒng)簡(jiǎn)單可靠在應(yīng)用中越來(lái)越廣泛！特別是物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的應(yīng)用，同時(shí)開(kāi)關(guān)電源供電系統(tǒng)的集成度已非常高，好的設(shè)計(jì)和選擇非常重要；為了做到應(yīng)用時(shí)應(yīng)對(duì)系統(tǒng)EMC的要求提供我前期的實(shí)際工作設(shè)計(jì)案例，分享給電子設(shè)計(jì)愛(ài)好者參考！

1．  小功率電源系統(tǒng)LNK564PN改善EMI的原理設(shè)計(jì)參考方案如下：

1．  客戶(hù)在實(shí)際使用時(shí)測(cè)試的超標(biāo)頻段及頻點(diǎn)范圍如下：

①  30MHZ－40MHZ的頻點(diǎn)范圍 超標(biāo)5dB左右

②  200HZ－300MHZ的頻段范圍且是時(shí)鐘的倍頻

2．  通過(guò)數(shù)據(jù)調(diào)試確認(rèn)輻射發(fā)射的位置及器件。

①  30MHZ－100MHZ的頻點(diǎn)范圍如果是開(kāi)關(guān)電源其相關(guān)的器件位置為：

現(xiàn)將各個(gè)頻段的干擾形式及狀態(tài)總結(jié)如下：

1MHZ以?xún)?nèi)－－－－以差模干擾為主，增大X 電容就可解決；

1MHZ－5MHZ－－－差模共模混合，采用輸入端并一系列X 電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決；

5M－－－以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法．對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減；

30－－－50MHZ 普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻，RCD優(yōu)化緩沖吸收電路；對(duì)于集成MOS的方案設(shè)計(jì)，建議在MOS的D＆S間并聯(lián)＜220pF的電容會(huì)有較好的改善，注意IC的溫升問(wèn)題！！

50－－－100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，可以在整流管上串磁珠，增加RC吸收電路等措施；

注意：對(duì)于小功率開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100MHZ 以下的頻段．也可以在MOS，二極管上加相應(yīng)吸收回路，但效率會(huì)有所降低！

②  200MHZ－300MHZ對(duì)于是時(shí)鐘的倍頻則處理按時(shí)鐘的標(biāo)準(zhǔn)電路原理進(jìn)行處理

3．  在電路中增加器件進(jìn)行的改善處理及實(shí)際結(jié)果情況分析：

①  更改電路中的RCD吸收電路R和C效果不明顯

②  RCD吸收回路中D上套磁珠效果不明顯

③  輸出二極管UF4005上套磁珠效果不明顯

④  在LNK564PN的D與S腳增加101／1KV電容效果不明顯

⑤  電感L1上并聯(lián)1K的電阻30MHZ－40MHZ的超標(biāo)的點(diǎn)幅度降低

⑥  將電感L1直接用屏蔽材料包裹，30M－40MHZ的輻射超標(biāo)點(diǎn)通過(guò)

⑦  將時(shí)鐘和晶振電路進(jìn)行RC處理及更改PCB后測(cè)試通過(guò)。

4．  晶振問(wèn)題及開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的高頻EMI－輻射問(wèn)題改善措施方案如下：

①  將電感L1更改為屏蔽電感。30MHZ－40MHZ的頻段測(cè)試通過(guò)。

②  無(wú)源晶振的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)方案

①  時(shí)鐘電路的EMC設(shè)計(jì)方案

6．總結(jié)

按照上述的測(cè)試過(guò)程處理后LNK564PN系統(tǒng)方案的輻射測(cè)試通過(guò)！對(duì)于較小功率電源系統(tǒng)方案，如果有EMI的問(wèn)題可嘗試用以上的思路來(lái)解決平常項(xiàng)目中的問(wèn)題！

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