開關(guān)電源與線性穩(wěn)壓電源相比，具有功耗小、效率高、體積小、重量輕、穩(wěn)壓范圍寬等許多優(yōu)點，己被廣泛應(yīng)用于計算機及其外圍設(shè)備、通信、自動控制、家用電器等領(lǐng)域。
但開關(guān)電源的突出缺點是能產(chǎn)生較強的電磁干擾（EMI）。EMI信號既具有很寬的頻率范圍，又有一定的幅度，經(jīng)傳導(dǎo)和輻射后會影響電磁環(huán)境，對通信設(shè)備和電子產(chǎn)品造成干擾。
如果處理不當，開關(guān)電源本身就會變成一個騷擾源。目前，電子產(chǎn)品的電磁兼容性（EMC）日益受到重視，抑制開關(guān)電源的EMI，提高電子產(chǎn)品的質(zhì)量，使之符合EMC標準，已成為電子產(chǎn)品設(shè)計者越來越關(guān)注的問題。
外部環(huán)境對開關(guān)電源的干擾主要來自電網(wǎng)的波動、雷電浪涌、外界電磁輻射等等；如下圖：
電子產(chǎn)品：開關(guān)電源系統(tǒng)的EMS的分析
1、電源噪聲？
2、電源復(fù)位？
3、電源輸出？
4、電源損壞？
瞬態(tài)干擾（EMS）對設(shè)備會產(chǎn)生威脅，出現(xiàn)產(chǎn)品功能及性能的問題。
EMS的問題我們通過開關(guān)電源系統(tǒng)的PCB來分析：
A．開關(guān)電源系統(tǒng)有接地設(shè)計
系統(tǒng)的EMS－共模浪涌測試是我們系統(tǒng)故障和IC不良的主要原因；在實際生活中，我們的電子產(chǎn)品通過AC供電時，也是共模雷電導(dǎo)致產(chǎn)品的故障。
一次側(cè)的部分：
Ground路徑順序：大電容的Ground →Currentsensor→一次側(cè)變壓器輔助繞組Vcc電容的Ground→PWM IC 外圍組件的Ground →PWMIC 的Ground→光耦的地。
一次側(cè)和二次側(cè)的Y電容路徑：
大電容的Ground →Y－Cap→變壓器次級的Ground。
二次側(cè)的部分：
二次側(cè)Y2的出腳→二次側(cè)變壓器的Ground→二次側(cè)輸出電容的Ground→輸出接地則回到PE端→ TL431的地。
從上面的設(shè)計可以看出我們的系統(tǒng)其重要的控制信號和關(guān)鍵的IC是被保護起來。
好的PCB設(shè)計思路提高了產(chǎn)品的可靠性設(shè)計。
B．開關(guān)電源系統(tǒng)無接地設(shè)計
在PCB布線比較差的電路圖中：
電流流過變壓器的耦合電容（初級和次級耦合電容）和Y電容，電流流過C腳的電容地和IC的地之間的連線，連線上有雜散電感，造成電壓下降，將顯示在C腳電壓上（共模阻抗耦合）這就導(dǎo)致了IC的保護動作，電源輸出異常。
電子產(chǎn)品：開關(guān)電源系統(tǒng)的產(chǎn)品EMC的三大思考問題，了解了＆找得到就能解決EMC。
1．信號（源）？
2．結(jié)構(gòu)設(shè)計 ？
3．地的連接 ？
電子產(chǎn)品：開關(guān)電源系統(tǒng)的EMI－傳導(dǎo)的測試系統(tǒng)等效分析
傳導(dǎo)干擾共模與差模信號的電流路徑分析。
開關(guān)電源通常是將工頻交流電整流為直流電， 然后經(jīng)過開關(guān)管的控制使其變?yōu)楦哳l， 再經(jīng)過整流濾波電路輸出， 得到穩(wěn)定的直流電壓。工頻整流濾波使用大容量電容充、放電， 開關(guān)管高頻通斷， 輸出整流二極管的反向恢復(fù)等工作過程中產(chǎn)生了極高的di／dt和du／dt ，形成了強烈的浪涌電流和尖峰電壓， 它是開關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生的最基本原因。
另外，開關(guān)管的驅(qū)動波形， MOSFET漏源波形等都是接近矩形波形狀的周期波。因此， 其頻率是MHz級別的， 這些高頻信號對開關(guān)電源的基本信號， 特別是控制電路的信號造成干擾。
簡單的說：開關(guān)電源系統(tǒng)當MOS管開通時，L，N回路中變壓器電感的電流線性上升；MOS關(guān)斷時 L，N回路電流迅速關(guān)斷；此時回路的電流波形為三角波；高頻的三角波電流的諧波分量形成系統(tǒng)的差模干擾。
雜散參數(shù)影響耦合通道的特性
在傳導(dǎo)騷擾頻段（＜30MHz），多數(shù)開關(guān)電源騷擾的耦合通道是可以用電路網(wǎng)絡(luò)來描述的。但是，在開關(guān)電源中的任何一個實際元器件，如電阻器、電容器、電感器乃至開關(guān)管、二極管都包含有雜散參數(shù)，且研究的頻帶愈寬，等值電路的階次愈高，因此，包括各元器件雜散參數(shù)和元器件間的耦合在內(nèi)的開關(guān)電源的等效電路將復(fù)雜得多。
在高頻時，雜散參數(shù)對耦合通道的特性影響很大，分布電容的存在成為電磁騷擾的通道。另外，在開關(guān)管功率較大時，集電極一般都需加上散熱片，散熱片與開關(guān)管之間的分布電容在高頻時不能忽略，它能形成面向空間的輻射騷擾和電源線傳導(dǎo)的共模騷擾。
簡單的說：在高頻段＞1MHZ時，開關(guān)電源系統(tǒng)對地就存在分布電容；系統(tǒng)的關(guān)鍵信號，關(guān)鍵走線對地都存在分布電容；分布電容形成對地回到L，N的共模干擾信號。同時分布電容的環(huán)路形成對空間的輻射干擾。
輻射干擾共模與差模信號的磁場分布。
1．差模電流的磁場主要集中在差模電流構(gòu)成的回路面積之內(nèi)，
而回路面積之外的磁力線會相互抵消；
2．共模電流的磁場，在回路面積之外，
共模電流產(chǎn)生的磁場方向相同，磁場強度反而加強。
注意：
關(guān)于輻射的一個重要基本概念是：電流導(dǎo)致輻射，而非電壓。
輻射干擾共模與差模信號的場強特性。
1．較小的共模電流能夠產(chǎn)生強度很高的輻射；
2．很多因素都能導(dǎo)致共模電流；
比如：
A．電網(wǎng)串入共模干擾電壓－（我們EMS的部分模擬測試）
B．輻射干擾（如雷電，設(shè)備電弧，附近電臺，大功率輻射源）在信號線上感應(yīng)出共模干擾。
C．接地電壓不一樣。也就是說地電位差異引入共模干擾。
D．也包括設(shè)備內(nèi)部電線對電源線的影響。
數(shù)據(jù)結(jié)果－40dB 測試數(shù)據(jù)分析：
Data1： 一個20mA的差模電流，
在30MHZ時，將在3m遠的地方產(chǎn)生一個強度為100uV／m的輻射電場。
Data2： 一個8uA的共模電流，
在30MHZ時，將在3m遠的地方產(chǎn)生一個強度為100uV／m的輻射電場。
很小的共模電流 和 很大的差分電流產(chǎn)生大小相等的RF能量。
原因：共模電流不能在RF返回路徑中進行磁力線的抵消。
電子產(chǎn)品：開關(guān)電源系統(tǒng)EMI－輻射騷擾系統(tǒng)分布參數(shù)影響的電磁場環(huán)路分析
開關(guān)電源系統(tǒng)對地就存在分布電容；系統(tǒng)的關(guān)鍵信號，關(guān)鍵走線對地都存在分布電容；共模電流通過布局布線流經(jīng)系統(tǒng)的信號線及電纜的分布電容形成對地 回到L，N的共模干擾信號。同時分布電容的環(huán)路形成對空間的輻射干擾。
其中＞30MHZ以上 為輻射發(fā)射的天線接收；即共模輻射在空間產(chǎn)生電磁場，此時被輻射騷擾測試接收天線接收后，那么就形成了產(chǎn)品對外的輻射騷擾。
對電子產(chǎn)品的EMC的三大思考問題？
A．信號（源） 在哪里？
（外部干擾源EMS ＋內(nèi)部騷擾源EMI）
B．結(jié)構(gòu)設(shè)計 是這樣的嗎？
（產(chǎn)品外部接地 系統(tǒng)內(nèi)部有接地端子或者浮地設(shè)計等等）
C．地的連接 還有更好的方法嗎？
（直接接地或通過Y電容接地 內(nèi)部有參考接地背板 浮地設(shè)計等等）
總結(jié)：
信號（源）？
結(jié)構(gòu)設(shè)計 ？
地的連接 ？
EMC的三大手法與之對應(yīng)：濾波！ 屏蔽！ 接地！
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