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      IGBT器件

      “全線曝光”剖析雙變換不間斷電源中的全橋IGBT

      發布日期:2022-07-24 點擊率:154

      【導讀】隨著科技的發展,各種各樣的電源接踵而至。不間斷電源在信息和數據保護設備中廣泛應用。不間斷電源的發展與IGBT,Power MOSFET等電力電子器件密不可分。帶輸出變壓器的雙變換電路在拓撲電路中是應用最廣泛的。


      但即便是經典,也在近幾年的科技沖擊下逐漸顯示出劣勢,相較于大熱的高頻鏈雙變換UPS,傳統的雙變換電路結構的缺點已經逐漸暴露出來,但是依賴其成熟的技術,幾乎工業化的標準模塊式結構和很高的可靠性,使它在市場擁有的份額并沒有減小,而且產量越來越大,迫使各大UPS廠商尋找新的技術,以提高效率,降低成本。尤其效率的提高,能有效地減小散熱器尺寸,減少后備電池容量,減小充電器功率,明顯減小整機體積重量。如果10KVA UPS的8小時機型,提高2%的整機效率,可以減少使用相當12V 6.5AH電池20多節。

      雙變換UPS 的應用

      “全線曝光”剖析雙變換不間斷電源中的全橋IGBT
      圖1:典型的雙變換UPS
       

      如圖1所示,是一個典型的雙變換UPS,輸入交流電經過由D1~D4構成的全橋整流電路,整流得到220V~330V的直流母線電壓,電池電壓范圍為160V~220V,通過隔離二極管D5送給直流母線,供逆變器,所以逆變器的輸入電壓范圍為160~330V。為了輸出220V的穩定交流電壓,必然需要升壓隔離式逆變變壓器T1并采用SPWM調制技術。

      由于使用IGBT,逆變器一定會采用SPWM技術,且盡量提高調制頻率來減小輸出諧波分量,但是由于考慮IGBT的開關損耗,合理的調制頻率在8~10kHz。如果直接采用全橋式單極性調制方式,逆變變壓器有8~10kHz的諧波分量,會有明顯的可聞運行噪聲,如果進一步提高調制頻率到20kHz可消除可聞運行噪聲,在目前技術條件下,無論選用何種芯片技術的IGBT,都會明顯增加開關損耗,整機效率降低,這是不可取的。

      現有的倍頻式PWM調制技術就能很好的解決這一問題,只要采用兩個反向的三角波,分別調制Q1和Q4,Q2和Q3,就能使輸出的調制頻率翻倍。這樣一來就能保證IGBT 工作在最理想的狀態,同時滿足整機設計要求。
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      實例解析

      “全線曝光”剖析雙變換不間斷電源中的全橋IGBT
      圖2:半橋臂工作情況
       

      為了簡化討論,這里討論一個半橋臂的工作情況,參考圖1。我們分析當逆變器Q1關閉時的電壓電流波形,見圖2。由于負載電感的電流不能突變,繼續流過Q2,下部IGBT的中續流二極管。其電流變化速率di/dt在寄生電感上會產生一個壓降ΔV=-Lσ×di/dt,它疊加在直流母線上,可以看作在關斷Q1的電壓尖峰,這個尖峰電壓會損壞Q1。

      在常見的采用半橋IGBT模塊并用并行直流母線連接的UPS設計,為了保護IGBT,使其工作在安全工作區RBSOA內,一般需要采用復雜的吸峰電路。成本高,且要消耗不少能量,有一典型的用于10kVA UPS逆變回路吸峰電路,需要80×80風扇冷卻,這是UPS逆變電路亟待改進的地方。

      產生ΔV原因可以從下式可以看出:ΔV=-Lσ×di/dt,其與IGBT電流下降速率和回路的電感成正比。要減小尖峰電壓,可以減小電流下降速率,就是通常說的關斷比較軟,但是會增加損耗;另一方法是減小電感,這個電感就是寄生電感。

      從原理上說寄生電感與回路包圍的面積有關,在設計中,應該選用適當的低電感器件,而且器件布局盡量緊湊。那么如何在UPS設計中減小寄生電感,廢除耗能的吸峰電路,降低成本,這是UPS設計者關心的問題。

      目前UPS逆變器的功率管采用的是IGBT半橋功率模塊,如EUPEC的BSM200GB60DLC。這些IGBT都采用了雙極型三極管模塊的封裝。其體積大,成本高,自身的寄生電感也大。

      在IGBT發明時,在第一代IGBT開關速度不太快的前提下,廠商采用雙極型三極管模塊的封裝國際工業標準,可以使得用戶在不改變整機結構的情況下,方便取代雙極型三極管模塊,其不失為一個很好的選擇。

      結果是UPS廠商的逆變功率模塊也始終按雙極型三極管的半橋模塊設計,這樣一來引進比模塊本身更大的寄生電感。寄生電感會在IGBT關斷的過程中形成很大的尖峰電壓。尤其當今IGBT的開關速度已很高了。

      那么如何來減小寄生電感是一個IGBT應用關鍵技術,最有效的方法是把并行母線改為疊層母線,減小回路包圍的面積。對于并行母線,其母線寬度與母線距離之比a/b>1,其寄生電感Lσ>300nH,而疊層母線很容易做到a/b<0.01,這樣寄生電感Lσ僅為20~30nH,考慮其它因素,寄生電感Lσ實際可以控制在100nH以下。

      封裝的改進

      為了使這一技術實用化,EUPEC公司在1994年制定了一種IGBT國際工業標準化的封裝,即Econo,它是第一個IGBT的封裝。Econo有兩種封裝尺寸,即Econo2和Econo3,見(圖3)。現有的主要產品是用于逆變器三相全橋模塊。最近EUPEC推出單相全橋模塊 Econo FourPACK ,其600V系列是專為UPS設計的,包括以下幾種常用型號,見表1:

      “全線曝光”剖析雙變換不間斷電源中的全橋IGBT
       

      Econo FourPACK系列模塊由四個IGBT和四個反向續流二極管構成,它還包括溫度檢測 NTC,可用于超載、過溫保護等。對稱的芯片分布,合理的管腳設計使得模塊內部和功率組件設計寄生電感最小;引出腳按能量流向分布,母線設計,控制線設計更容易。所有引出腳采用可焊接針,這樣便于設計雙面覆銅板疊層直流母線,它有很小的寄生電感,如果與EconoBRIDGE 整流模塊一起構成系統設計更方便,更能體現優良的性能。

      結語

      本文剖析了雙變換UPS不間斷電源中的全橋IGBT,這種設計方案能夠大大提高整體性能,降低了成本。希望讀者閱讀完本文后,能夠對全橋IGBT有系統的理解。

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