中文字幕第二一区_久久久久在线视频_精品国产自在现线看久久_亚洲精品一区二区三区电影网

【導(dǎo)讀】請注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動感性負載時，不要將機械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時，由于繼電器的啟動時間短，產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt)，這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。

潛在問題:

當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時，開關(guān)的開啟會導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機械開關(guān)的短暫時間，高的dvdt會激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量將集中在這種寄生晶體管上;這可以破壞寄生雙極晶體管，并破壞MOSFET本身。MOSFET在漏極源和源極之間的絕對短路損壞。

Note:由于繼電器的振動，MOSFET也可以在開關(guān)關(guān)閉時被破壞。

預(yù)防措施:

1.使用一個雙極晶體管，用一個穩(wěn)壓二極管保護來限制振蕩電壓，其值低于VCEmax。39vzener電壓是接受拋負載的推薦值。

2.使用一個zener保護二極管，其電壓低于MOSFET的第二次擊穿電壓(第二個擊穿電壓可以低到50%的VDSmax)選擇MOSFET(第二次擊穿電壓為39V)。
 

推薦閱讀：
促進粵港澳大灣區(qū)的創(chuàng)新意念及企業(yè)精神-艾睿電子創(chuàng)科論壇及展示會 
貿(mào)澤電子發(fā)布微信支付功能 -奪移動支付高地 強化全支付用戶體驗
思普達引入SAP 專為IC設(shè)計行業(yè)打造管理系統(tǒng)
一文讀懂，晶振為什么會發(fā)生停振？ 

開關(guān)三極管，加速電容的分析！