當單片機內部程序存儲器容量短少時，就需求進行程序存儲器的拓寬。單片機的程序存儲器拓寬運用只讀存儲器芯片。只讀存儲器ROM中的信息一旦寫入往后就不能隨意更改，即不能在程序作業進程中寫入新的內容，而只能讀存儲單元內容。因為掉電后ROM中寄存的數據不會扔掉，所以ROM適合寄存程序、常數、表格等。存儲器拓寬的基地疑問是存儲器的編址疑問。所謂編址即是給存儲單元分配地址。因為存儲器一般由多片芯片構成，因而存儲器的編址分為兩個層次，即存儲器芯片的挑選和存儲器芯片內部存儲單元的挑選。

一、存儲器編址技能

編址即是給存儲單元分配地址。運用體系供給的地址線，經過恰當的聯接，使得一個地址僅有對應存儲器中一個存儲單元。存儲器芯片的挑選有兩種辦法：

1．線選法----直接以體系的地址作為存儲芯片的片選信號。利益是簡略不需添加額外電路，適用于小計劃單片機體系的存儲器拓寬；缺陷是存儲空間不接連。

2．譯碼法---運用譯碼器對體系的高位地址進行譯碼，以其譯碼輸出作為存儲芯片的片選信號。利益是存儲空直接連，適用于大容量多芯片存儲器拓寬；缺陷是硬件計劃需求添加譯碼器。

3．譯碼器

譯碼法時需求選用譯碼芯片，多見譯碼芯片有：74LS139（雙2－4譯碼器）和74LS138（3－8譯碼器）等，它們的CMOS型芯片別離是74HC139和74HC138。74LS138如圖1所示。

圖1 74LS138芯片

74LS138的真值表闡了解其輸入輸出以及操控信號的聯絡，如圖2所示。

圖2 74LS138的真值表

二、EEPROM接口計劃

以2764為例來闡明存儲器的拓寬接口計劃辦法。2764是一種8K×8位的紫外線擦除電可編程只讀存儲器，單一+5V供電，作業電流為100mA，堅持電流為50mA，讀出時刻最大為250ns。2764為雙列直插式28引腳的規范芯片，容量為8K×8位。其引腳見圖3。

2764在運用時，只能將其所存儲的內容讀出。即首要送出要讀出的單元地址，然后使和均有用（低電平），則在芯片的D0～D7數據線上就能夠輸出要讀出的內容。其進程的時序聯絡如圖4所示。

圖3 2764引腳圖  圖4 2764時序圖

以下兩個比方均選用2764，別離選用線選法和譯碼法來進行程序存儲器拓寬。

例1．選用線選法，運用兩片2764，總共構成8K×2=16K的有用地址。

解：2764有13根地址線，別離由P0.0~P0.7、P2.0~P2.4供給，體系的P2.5~P2.7沒有用，選用2片2764構成體系，則能夠運用P2.5~P2.7中的任何2根作為線選線，在本計劃中選用P2.5和P2.6作為線選線，則可剖析得到這2塊芯片的底子地址計劃。

假定未用地址線取0，則2764（1）的底子地址計劃：4000H~5FFFH。

假定未用地址線取0，則2764（2）的底子地址計劃：2000H~3FFFH。

圖5 線選法拓寬

例2．用EPROM2764拓寬生成24KB的程序接連存儲空間，選用74LS138譯碼，懇求該24KB的地址空間從8000H開端編碼。

解：因為1塊2764芯片是8KB，所以要生成24KB的程序存儲空間需求3塊2764芯片；因為生成的是接連的存儲空間，所以選用譯碼法。地址空間懇求從8000H開端編碼，則

2764（1）的底子地址計劃：8000H~9FFFH：

2764（2）的底子地址計劃：A000H~BFFFH：

2764（3）的底子地址計劃：C000H~DFFFH：

查詢3塊芯片的高位地址線A15~A13，并思考74LS138譯碼器的輸入與輸出之間的聯絡（見圖2）可知，3塊2764芯片應順次接Y4、Y5、Y6輸出端。拓寬電路圖見圖6。

圖6 譯碼法拓寬

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本文標題：單片機程序存儲器的拓寬

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