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磁阻傳感器 霍爾傳感器：【雷賽智能 ｜ 頭條】磁阻傳感器與霍爾傳感器有什么區(qū)別？
原標題：【雷賽智能 | 頭條】磁阻傳感器與霍爾傳感器有什么區(qū)別？
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前段時間，有朋友留言，讓我講講磁柵編碼器的工作原理。
其實，我之前也沒用過。
不過最近，我查詢了一些資料，發(fā)現(xiàn)確實有一些應用中用到磁編碼器。
比如，對于長行程（1米）的直線運動系統(tǒng)的位置檢測，再比如對于空間有限的旋轉(zhuǎn)直驅(qū)電機 運動檢測。
當然，我也順便把磁編碼器的工作原理弄清楚了。
本來我打算這篇日記就來分享一下它的工作原理，但是我發(fā)現(xiàn)，要全部講清楚，恐怕又是一篇長文，可讀性下降。
所以今天，我先分享一下傳感器部分，后續(xù)再補充一篇，說明整體工作原理。
磁柵編碼器或者磁旋轉(zhuǎn)編碼器上，采用的傳感器，一般為霍爾傳感器或者磁阻傳感器。
磁阻傳感器用于旋轉(zhuǎn)運動 檢測示意圖。
磁阻傳感器用于直線運動檢測示意圖。
磁阻傳感器用于電機角度反饋。
4分辨率磁阻傳感器檢測位置應用，圖片來自murata。
磁阻傳感器檢測位置應用，圖片來自murata。
磁柵編碼器和磁旋轉(zhuǎn)編碼器示意圖，來自BOGEN。
幾種磁阻傳感器用于檢測三維運動，角度運動，直線運動。
磁阻傳感器用于電機軸，檢測旋轉(zhuǎn)運動。
磁阻傳感器用于讀取磁盤信息。
磁傳感器工作示意圖。
關(guān)于 霍爾傳感器 的原理，之前有一篇文章專門講過，這里僅僅回顧一下。
霍爾傳感器的原理：在垂直于霍爾元件的外部磁場作用下，電子在會向霍爾元件一側(cè)移動，造成兩側(cè)電勢差，形成霍爾電壓。
霍爾傳感器的原理動畫展示。
那么，什么又是磁阻傳感器呢？它是怎么工作的？
01
磁阻傳感器的分類
首先，這里的磁阻，和之前講過的 磁阻電機 中的磁阻可不是一回事。
磁阻電機中的磁阻（Reluctance），是阻礙磁路中磁通量的產(chǎn)生。
而此處的磁阻（Magnetoresistance），是材料的電阻會隨著外部磁環(huán)境的變化而變化的現(xiàn)象。
當然并不是所有材料都有這個能力。
目前主要應用的有三種磁阻元件。
分別為AMR，GMR，TMR元件。
AMR＝Anisotropic Magnetoresistance Effect，即各向異性磁阻效應。
GMR＝Giant Magnetoresistance Effect，即巨磁阻效應。
TMR＝Tunnel Magnetoresistance Effect，即穿隧磁阻效應
AMR，GMR，TMR結(jié)構(gòu)示意圖：AMR僅由自由層（Free Layer）薄膜構(gòu)成，GMR和TMR由自由層薄膜和固定層（Pinned Layer）薄膜及其他相關(guān)薄膜構(gòu)成。自由層可以被磁化，磁化方向和外磁場方向相關(guān)，固定層的磁化方向被固定，不隨外部磁場變化而變化，圖片來自hprobe。
磁化過程示意圖。
AMR，GMR，TMR原理示意圖：AMR當磁化方向和電流方向平行時，電阻最大，電流最?。▓D中用棕色箭頭大小表示電流大小）；當磁化方向和電流垂直時，電阻最小，電流最大。GMR和TMR當磁化方向和固定層磁化方向相反時，電阻最大，電流最??；當磁化方向和固定層磁化方向相同時，電阻最小，電流最大。圖中可見，GMR和TMR最明顯的區(qū)別在于通電電流方向不同，GMR電流平行于薄膜，而TMR電流則垂直于薄膜。圖片來自AKM。
AMR電阻隨外磁場和電流夾角的變化情況。
AMR由一層可以被外部磁場磁化的鐵磁薄膜構(gòu)成，外部磁場和通電電流形成一個夾角，當磁場角度變化，這個夾角改變，電阻也隨之改變，如果傳感器通入的電壓一定，將會產(chǎn)生變化的電流信號。
AMR傳感器工作原理。施加磁場后，磁阻元件R1、R4的電阻值將下降，且中點A和中點B之間的電位將產(chǎn)生差異。當電位差超過規(guī)定的設置值（閾值）時，將切換傳感器的ON/OFF輸出。圖片來自murata。
GMR主要由自由層和固定層薄膜及導體夾層構(gòu)成，電流方向平行于薄膜方向。
關(guān)于GMR，值得一提的是，巨磁阻效應的發(fā)現(xiàn)者Albert Fert和Peter Grunberg在2007 年，獲得諾貝爾物理學獎。
GMR巨磁阻效應發(fā)現(xiàn)者A. Fert和P. Grunberg于2007年獲諾貝爾物理學獎。
TMR和GMR結(jié)構(gòu)類似，主要由自由層和固定層薄膜及中間隧道障礙夾層構(gòu)成。
02
磁阻傳感器的原理
TMR磁性結(jié)構(gòu)與GMR基本相同，都是多層薄膜元件，但GMR元件的電流平行于膜面流過，而TMR元件的電流垂直于膜面流過。
磁阻元件的發(fā)現(xiàn)進程和磁阻效應強弱分別為AMR，GMR及TMR，可以用下面這張圖表示。
AMR，GMR，TMR的發(fā)展歷史及磁阻效應強弱，由圖可見TMR磁阻效應最大，其次是GMR，磁阻效應最小的是AMR，大磁阻效應意味著可以檢測更廣泛更微弱的磁變化。
TMR電阻隨外磁場方向的變化情況，上圖可以看到電阻隨外磁場旋轉(zhuǎn)角度變化而變化的曲線。下左圖中，當自由層與固定層的磁化方向為反向平行時，電阻變大（對應上圖的180度），只流過微弱的電流。右下圖中：當自由層與固定層的磁化方向平行時，電阻變?。▽蠄D的0度或者360度），流過大電流。此圖說明TMR磁阻元件可當作角度傳感器。
這張圖和上圖是一個意思，我保存一下，圖片來自TDK。
GMR／TMR電阻隨平移磁場變化示意圖，電阻達到閥值時，可以視為開關(guān)信號，來自alpsalpine。
GMR／TMR電阻隨旋轉(zhuǎn)磁場變化示意圖，電阻達到閥值時，可以視為開關(guān)信號，來自alpsalpine。
MR傳感器狀態(tài)變化示意圖，來自alpsalpine。
03
三種磁阻元件之間的區(qū)別
三種磁阻元件的不同之處，可以用2張圖來表示。
三種元件在相同磁場作用下，電阻的變化率對比。TMR變化最大，所以也最敏感（原因是結(jié)構(gòu)不同）。
AMR，GMR，TMR對比：TMR電阻變化率最大，所以也最敏感，同時受溫度的影響最小，適用性最高，圖片來自TDK。
結(jié)構(gòu)方面，AMR最簡單，由單層薄膜組成，GMR和TMR相似，都是多層薄膜組成。
電流方面，AMR和GMR電流方向平行于薄膜方向，唯有TMR垂直于薄膜方向。
當然，從結(jié)果來看，TMR對磁變化最為敏感，所以它可以用于檢測更小的磁變化，且可以多方向檢測，同時它受溫度的影響較小，測量誤差更小。
04
磁阻傳感器與霍爾傳感器的區(qū)別
以上，我們了解了3種基本的磁阻元件結(jié)構(gòu)，及原理，以及它們之間的靈敏度區(qū)別。
那么磁阻傳感器和霍爾傳感器有什么區(qū)別呢？
首先，檢測磁場方向不同，霍爾傳感器檢測垂直于霍爾元件的磁場，而磁阻傳感器檢測平行于磁阻元件的磁場。
磁阻傳感器和霍爾傳感器檢測方向?qū)Ρ取?/p>
磁阻傳感器和霍爾傳感器檢測方向?qū)Ρ取?/p>
其次，磁阻傳感器更加敏感，所以可以檢測多個方向的運動。
磁阻傳感器用于檢測各個方向的運動。
磁阻傳感器檢測運動方向示意圖，圖片來自murata。
當然，磁阻傳感器可以做得更小，在有限的空間中放置兩個檢測頭。
雙磁阻檢測元件示意圖。
當然還有其他一些不同之處，比如熱穩(wěn)定性，功耗等總結(jié)在下表中。
霍爾傳感器VS TMR傳感器。
以上特點決定了大部分的編碼器都用磁阻傳感器。
上圖為廣告
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磁阻傳感器 霍爾傳感器：磁阻傳感器和霍爾傳感器在工作原理和使用方法方面各有什么特點
磁阻傳感器是磁通量改變會造成元件電阻變化。磁阻傳感器能制作在硅片上，并形成產(chǎn)品。其靈敏度和線性度已經(jīng)能滿足磁羅盤的要求，各方面的性能明顯優(yōu)于霍爾器件。
霍爾效應：把通有電流i的導體放在垂直于它的磁場中，則在導體的兩側(cè)p1、p2會產(chǎn)生一電勢差uh，它與電流i及磁感應強度b成正比，與導體厚度d成反比。
磁場中有一個霍爾半導體片，恒定電流I從A到B通過該片。在洛侖茲力的作用下，I的電子流在通過霍爾半導體時向一側(cè)偏移，使該片在CD方向上產(chǎn)生電位差，這就是所謂的霍爾電壓。
霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化，磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低，霍爾電壓值很小，通常只有幾個毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機械的方法來改變磁場強度。下圖所示的方法是用一個轉(zhuǎn)動的葉輪作為控制磁通量的開關(guān)，當葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時，磁場偏離集成片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾集成電路的輸出電壓的變化，就能表示出葉輪驅(qū)動軸的某一位置，利用這一工作原理，可將霍爾集成電路片用作用點火正時傳感器。霍爾效應傳感器屬于被動型傳感器，它要有外加電源才能工作，這一特點使它能檢測轉(zhuǎn)速低的運轉(zhuǎn)情況。
磁阻傳感器 霍爾傳感器：磁阻傳感器和霍爾傳感器的區(qū)別
磁阻傳感器和霍爾傳感器的區(qū)別
霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應制作的一種磁場傳感器
霍爾傳感器特點：
1、 霍爾傳感器可以測量任意波形的電流和電壓，如：直流、交流、脈沖波形等，甚至對瞬態(tài)峰值的測量。副邊電流忠實地反應原邊電流的波形。而普通互感器則是無法與其比擬的，它一般只適用于測量50Hz正弦波。
2、 原邊電路與副邊電路之間完全電絕緣，絕緣電壓一般為2KV至12KV，特殊要求可達20KV至50KV。
3、 精度高：在工作溫度區(qū)內(nèi)精度優(yōu)于1%，該精度適合于任何波形的測量。而普通互感器一般精度為3%至5%且適合50Hz正弦波形。
4、 線性度好：優(yōu)于0.1%
5、 動態(tài)性能好：響應時間小于１s跟蹤速度di/dt高于50A/s
6、 霍爾傳感器模塊這種優(yōu)異的動態(tài)性能為提高現(xiàn)代控制系統(tǒng)的性能提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。與此相比普通的互感器響應時間為10-12ms，它已不能適應工作控制系統(tǒng)發(fā)展的需要。
7、 工作頻帶寬：在0-100kHz頻率范圍內(nèi)精度為１％。在０－５kHz頻率范圍內(nèi)精度為0.5%。
8、 測量范圍：霍爾傳感器模塊為系統(tǒng)產(chǎn)品，電流測量可達50KA，電壓測量可達6400V。
9、 過載能力強：當原邊電流超負荷，模塊達到飽和，可自動保護，即使過載電流是額定值的２０倍時，模塊也不會損壞。
10、 模塊尺寸小，重量輕，易于安裝，它在系統(tǒng)中不會帶來任何損失。
11、 模塊的初級與次級之間的電容是很弱的，在很多應用中，共模電壓的各種影響通常可以忽略，當達到幾千伏/s的高壓變化時，模塊有自身屏蔽作用。
12、 模塊的高靈敏度，使之能夠區(qū)分在高分量上的弱信號，例如：在幾百安的直流分量上區(qū)分出幾毫安的交流分量。
13、 可靠性高：失效率：=0.43╳10-6/小時
14、 抗外磁場干擾能力強：在距模塊5-10cm處有一個兩倍于工作電流(2Ip)的電流所產(chǎn)生的磁場干擾而引起的誤差小于0.5%，這對大多數(shù)應用，抗外磁場干擾是足夠的，但對很強磁場的干擾要采取適當?shù)拇胧?br/>磁阻傳感器是基于磁阻效應工作原理，其核心部分采用一片特殊金屬材料，其電阻值隨外界磁場的變化而變化，通過外界磁場的變化來測量物體的變化或狀況。磁阻傳感器具有高精度、高靈敏度、高分辨率、良好穩(wěn)定性和可靠性、無接觸測量及寬溫度范圍的特點，可進行動態(tài)和靜態(tài)測量。廣泛應用于低磁場測量，角度和位置測量。
磁阻傳感器特點：
1. 靈敏度高,輸出信號幅值大,并與旋轉(zhuǎn)速度的大小無關(guān)
2. 體積小,結(jié)構(gòu)簡單,金屬盒封裝,耐油污粉塵
3. 頻率特性優(yōu)良,能檢測靜止狀態(tài)的轉(zhuǎn)速
4. 內(nèi)偏置磁鋼
5. 抗電磁干擾能力強
轉(zhuǎn)載請注明來源：中國測控網(wǎng)（
磁阻傳感器 霍爾傳感器：霍爾的磁阻傳感器工作原理
干簧管和電阻串聯(lián)連接形成一組電路，多組電路與信號發(fā)生器并聯(lián)連接。當磁鐵隨著測量介質(zhì)的變化而移動時，吸簧管接通電阻，信號發(fā)生器產(chǎn)生相應的電信號?。ㄟB接到干簧管的每個電阻值不同，導致不同的電信號。）一般用作液位測量！
霍爾傳感器工作原理
在磁場中存在霍爾半導體芯片，恒定電流I通過該芯片從A傳遞到B.在洛倫茲力的作用下，當電子流通過霍爾半導體時，I的電子流向一側(cè)移動，使片材在CD方向上產(chǎn)生電位差，這就是所謂的霍爾電壓。
霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化。磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低?；魻柕碾妷褐岛苄?，通常只有幾毫伏。然而，在集成電路中，放大器的放大可以將電壓放大到足以輸出強信號的程度。如果霍爾集成電路可以作為傳感器，則需要采用機械方法來改變磁場強度。下圖所示的方法是使用旋轉(zhuǎn)葉輪作為開關(guān)來控制磁通量。當葉輪葉片處于磁體與霍爾集成電路之間的氣隙時，磁場偏離集成芯片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾集成電路輸出電壓的變化可以指示葉輪驅(qū)動軸的某一位置。利用此工作原理，霍爾集成電路芯片可作為點火正時傳感器?；魻枴靶獋鞲衅鲗儆诒粍觽鞲衅鳌Ｋ枰~外的電源才能工作。此功能使其能夠檢測低速運行。
霍爾傳感器特點：
霍爾傳感器可以測量任何波形的電流和電壓，如：直流、交流、脈沖波形等，甚至可以測量暫態(tài)峰值。側(cè)電流忠實地反映了原側(cè)電流的波形。普通變壓器是無可比擬的，一般只適合測量50hz正弦波。
2。原側(cè)電路和二次側(cè)電路完全電氣絕緣，絕緣電壓一般為2KV~12kV，特殊要求可達20kV~50KV。
高精度：在工作溫度范圍內(nèi)精度優(yōu)于1%，適用于任意波形的測量。普通變壓器的總精度為3%~5%，適用于50 Hz正弦波。
4，線性度好：優(yōu)于0.1％
5。動態(tài)性能好：響應時間小于1s，跟蹤速度di/dt大于50a/s
霍爾傳感器模塊的這種優(yōu)異的動態(tài)性能為提高現(xiàn)代控制系統(tǒng)的性能提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。與此相比，普通變壓器的響應時間為10-12ms，無法滿足工作控制系統(tǒng)發(fā)展的需要。
7。工作頻率帶寬：在0-100 kHz頻率范圍內(nèi)精度為1%。在0~5 kHz頻率范圍內(nèi)，精度為0.5%。
測量范圍：霍爾傳感器模塊為系統(tǒng)產(chǎn)品，電流測量可達50 KA，電壓測量可達6400 V。
9.強過載能力：當初級電流過載時，模塊飽和并可自動保護。即使過載電流是額定值的20倍，模塊也不會損壞。
10。該模塊體積小、重量輕、安裝方便。它不會在系統(tǒng)中造成任何損失。
11、模塊的一級和二級之間的電容非常弱。在許多應用中，通常可以忽略公共模式電壓的各種影響。當達到幾千伏/秒的高壓變化時，模塊有自己的屏蔽效果。
12。該模塊的高靈敏度使其能夠區(qū)分高分量上的微弱信號，例如幾百安培的直流分量上的幾毫安的交流分量。
13，高可靠性：故障率：=0.43≤10-6/h
14.對外部磁場干擾的強抵抗力：由模塊5-10cm處工作電流（2Ip）兩倍的電流產(chǎn)生的磁場干擾引起的誤差小于0.5％。對于大多數(shù)應用，外部磁場是耐受的。干擾是足夠的，但應采取適當措施干擾非常強的磁場。
磁阻傳感器基于磁阻效應原理。磁阻傳感器的核心部件是一塊特殊的金屬材料。其電阻隨外磁場的變化而變化。物體的變化或狀態(tài)是通過外部磁場的變化來測量的。磁阻傳感器具有精度高、靈敏度高、分辨率高、穩(wěn)定性和可靠性好、非接觸測量、溫度范圍寬等特點。它可用于動態(tài)和靜態(tài)測量。廣泛應用于低磁場測量、角度和位置測量。
磁阻傳感器特點：
1.高靈敏度，輸出信號幅度大，與轉(zhuǎn)速無關(guān)
2。體積小，結(jié)構(gòu)簡單，金屬盒包裝，耐油粉塵。
3。優(yōu)良的頻率特性，能檢測出靜態(tài)的速度。
4. 內(nèi)偏置磁鋼
5. 抗電磁干擾能力強
