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磁阻效應傳感器是根據磁性材料的磁阻效應制成的。磁性材料（如坡莫合金）具有各向異性，對它進行磁化時，其磁化方向將取決于材料的易磁化軸、材料的形狀和磁化磁場的方向。當給帶狀坡莫合金材料通電流I時，材料的電阻取決于電流的方向與磁化方向的夾角。如果給材料施加一個磁場B（被測磁場），就會使原來的磁化方向轉動。如果磁化方向轉向垂直于電流的方向，則材料的電阻將減小;如果磁化方向轉向平行于電流的方向，則材料的電阻將增大。磁阻效應傳感器一般有四個這樣的電阻組成，并將它們接成電橋。在被測磁場B作用下，電橋中位于相對位置的兩個電阻阻值增大，另外兩個電阻的阻值減小。在其線性范圍內，電橋的輸出電壓與被測磁場成正比。

　　磁阻傳感器已經能制作在硅片上，并形成產品。其靈敏度和線性度已經能滿足磁羅盤的要求，各方面的性能明顯優(yōu)于霍爾器件。遲滯誤差和零點溫度漂移還可采用對傳感器進行交替正向磁化和反向磁化的方法加以消除。由于磁阻傳感器的這些優(yōu)越性能，使它在某些應用場合能夠與磁通門競爭。

　　FNN-3300就是用的磁阻傳感器，在市場上占據很重要的地位，所以證明在電子羅盤中磁阻式的是優(yōu)于霍爾效應及磁通門的。

　　磁阻效應傳感器工作原理

　　磁阻元件類似霍爾元件，但它的工作原理是利用半導體材料的磁阻效應（或稱高斯效應）。與霍爾效應的區(qū)別如下；即霍爾電勢是指垂直于電流方向的橫向電壓，而磁阻效應則是沿電流方向的電阻變化。

　　表示一種測量位移的磁阻效應傳感器。將磁阻元件置于磁場中，當它相對于磁場發(fā)生位移時，元件內阻R1、R2發(fā)生變化，如果將它們接于電橋，則其輸出電壓比例于電阻的變化。

　　產生磁阻效應的原理：

　　磁阻效應與材料性質及幾何形狀有關，一般遷移率大的材料，磁阻效應愈顯著；元件的長、寬比愈小，磁阻效應愈大。

　　磁阻元件可用于位移、力、加速度等參數(shù)的測量。