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      類型分類:
      科普知識
      數(shù)據(jù)分類:
      微控制器MCU

      使用四開關(guān)升降壓控制器提供高功率和效率

      發(fā)布日期:2022-04-22 點(diǎn)擊率:39


      1.前言

      許多工業(yè)和汽車應(yīng)用具有廣泛變化的輸入電壓 (V IN ) 軌,并且通常需要降壓-升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器來調(diào)節(jié)輸出電壓 (V OUT )。降壓-升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可以是級聯(lián)降壓和升壓級或單級。級聯(lián)降壓和升壓級會導(dǎo)致雙重轉(zhuǎn)換,從而導(dǎo)致更大的尺寸、成本和功率損耗。

      2.方案

      圖 1 顯示了 TI 為不同功率級別提供的單級降壓-升壓轉(zhuǎn)換器選擇。在相對較低的功率水平下,非同步降壓-升壓拓?fù)洌ɡ鏛X5118)是最簡單的解決方案。傳統(tǒng)的單級降壓-升壓拓?fù)?,例如單端初級電感轉(zhuǎn)換器 (SEPIC) 或反激式使用兩個電感器,因此隨著功率水平的增加變得笨重且效率低下。為了獲得最高效率,四開關(guān)降壓-升壓是 25W 至 250W 功率級別的首選拓?fù)洹?/p>


      圖 1:不同功率級別的降壓-升壓拓?fù)?/strong>

      該LM5175是使用單個電感器和MOSFET集成所有四個開關(guān)驅(qū)動器的四開關(guān)降壓-升壓型控制器。

      · 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果:

      · 器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運(yùn)行溫度范圍

      · 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級 2

      · 器件組件充電模式 (CDM) ESD 分類等級 C4B

      · 單電感降壓-升壓控制器,用于升壓/降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換

      · 寬 VIN 范圍:3.5V 至 42V,最大值為 60V

      · 靈活的 VOUT 范圍:0.8V 至 55V


      LM5175-Q1 是一款同步四開關(guān)降壓-升壓 DC/DC 控制器,能夠?qū)⑤敵鲭妷悍€(wěn)定在輸入電壓、高于輸入電壓或者低于輸入電壓的某一電壓值上。LM5175-Q1 可在 3.5V 至 42V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行(最大值為 60V),支持各類 應(yīng)用。

      LM5175-Q1 在降壓和升壓工作模式下均采用電流模式控制,以提供出色的負(fù)載和線路調(diào)節(jié)性能。開關(guān)頻率可通過外部電阻進(jìn)行編程,并且可與外部時(shí)鐘信號同步。

      該器件還 具有 可編程軟啟動功能,并且提供 諸如 逐周期電流限制、輸入欠壓鎖定 (UVLO)、輸出過壓保護(hù) (OVP) 和熱關(guān)斷等各類保護(hù)特性。此外,LM5175-Q1 特有 可選擇的連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 或斷續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)、可選平均輸入或輸出電流限制、可降低峰值電磁干擾 (EMI) 的可選擴(kuò)展頻譜以及應(yīng)對持續(xù)過載情況的可選斷續(xù)模式保護(hù)。

      與其他拓?fù)湎啾?,它具有更高的功率和更高的效率,因?yàn)樗哂幸韵聝?yōu)勢:

      · 與耦合電感器設(shè)計(jì)相比,單電感器設(shè)計(jì)的尺寸更小,損耗更低。

      · 它集成了用于同步 MOSFET 的 MOSFET 驅(qū)動器。同步整流導(dǎo)致比二極管更高的效率。

      · SEPIC 或反激式轉(zhuǎn)換器始終在降壓-升壓模式下運(yùn)行。的LM5175在降壓-升壓模式下運(yùn)行,只有當(dāng)輸入電壓接近輸出電壓。當(dāng) V IN不接近 V OUT 時(shí),LM5175以降壓或升壓模式運(yùn)行。降壓或升壓操作具有較低的峰值電流和均方根電流,因此對于相同的 V IN、V OUT和負(fù)載電流,其損耗低于降壓-升壓操作。

      · SEPIC 中的開關(guān)(以及帶有 1:1 變壓器的同步反激式)在關(guān)斷時(shí)間內(nèi)看到 (V IN + V OUT )的反向電壓。在四開關(guān)降壓-升壓中,降壓 FET(圖 2 中的 QH1 和 QL1)看到 V IN,而升壓 FET(圖 2 中的 QH2 和 QL2)在關(guān)斷時(shí)間內(nèi)看到 V OUT。較低電壓的 MOSFET 具有更好的 R DS *Q G特性,從而降低損耗。


      圖 2:LM5175四開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

      除了支持高功率、高效率的降壓-升壓解決方案外,LM5175還具有輔助設(shè)計(jì)人員的附加功能。帶有可選打嗝模式的逐周期電流限制可降低過載時(shí)的熱應(yīng)力(圖 3)。


      圖 3:用于降低熱應(yīng)力的打嗝模式保護(hù)

      此外,轉(zhuǎn)換器具有平均電流限制功能,可以準(zhǔn)確限制源電流或負(fù)載電流。此功能對于電池充電或 LED 電流控制特別有用。


      圖 4:LM5175平均電流環(huán)路用于控制 LED 串中的電流

      LM5175具有可選的抖動功能,可以通過允許用戶調(diào)節(jié)圍繞其標(biāo)稱值的開關(guān)頻率與EMI幫助。抖動電容器設(shè)置調(diào)制頻率。


      圖 5:LM5175中的抖動功能有助于降低 EMI

      LM5175四開關(guān)控制器使高功率,高效率的降壓-升壓的解決方案,在汽車(啟動/停止信息娛樂,LED照明),工業(yè)應(yīng)用(工業(yè)PC,以太網(wǎng)交換機(jī)),通信(功率放大器用品)和其他領(lǐng)域。打嗝模式、平均電流環(huán)路和頻率抖動等附加功能使其成為 DC/DC 設(shè)計(jì)中的強(qiáng)大工具。





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