最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關(guān)性（或者與器件性能沒什么關(guān)系）。
另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點(diǎn)兒前言不搭后語，不過設(shè)計(jì)人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同的FET時要小心，這是因?yàn)闇y試條件決定一切，事情往往是如此！
圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個不同di/dt速率上測得的輸出電荷和反向恢復(fù)電荷，這代表了一個事物的兩個方面。在左側(cè)，Qrr在360A/μs時測得的值為85nC，在右邊，2000A/μs時測得的值為146nC。雖然沒有測量部件的di/dt行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，但我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，為了得到極地的Qrr，我們的競爭對手將測量時的di/dt速率調(diào)低至100 A/us。
圖1：360A/μs（左側(cè)）和2000A/μs（右側(cè)）時，在CSD18531Q5A上測得的Qrr和QOSS值。
Qrr 甚至可以對測試執(zhí)行性的二極管正向電流 (If) 具有更強(qiáng)的依賴關(guān)系。而進(jìn)一步使事情復(fù)雜化的原因在于，某些廠商未將QOSS 作為一個單獨(dú)參數(shù)包含在內(nèi)，而是只將這個參數(shù)吸收到Qrr 的技術(shù)規(guī)格當(dāng)中。除了數(shù)據(jù)表中列出的測試條件，事實(shí)上，其它諸如電路板寄生電感和主觀測量方法等考慮也使得比較單獨(dú)廠商數(shù)據(jù)表中的這些參數(shù)變得不太可能。這并不是說這些參數(shù)對于設(shè)計(jì)不重要，而是為了說明，要獲得可靠的比較數(shù)據(jù)，唯一有效的解決方案就是使用通常的方法和電路板對這些數(shù)據(jù)進(jìn)行獨(dú)立采集。
我在這個系列中將要提到的最后一個參數(shù)就是開關(guān)時間。這4個參數(shù)通常由下方圖2中的波形定義，并且會出現(xiàn)在每個廠商的數(shù)據(jù)表中。它們是如此地依賴于電路板和測試條件，以至于FET行業(yè)的一位元老級人物（也是個人導(dǎo)師）經(jīng)常把這些參數(shù)引用為“FET數(shù)據(jù)表中最沒用的參數(shù)”。本來是為了指示出開關(guān)速度，而實(shí)際上，由于這些參數(shù)是FET特性值，所以它們至多只反映出驅(qū)動器強(qiáng)度和漏電流。TI在器件的額定電流上進(jìn)行測試時將這些參數(shù)包含在內(nèi)，而其它廠商只在1A ID 上測試這些參數(shù)，其目的在于使它們的器件看起來具有更快的開關(guān)速度。更能說明器件實(shí)際開關(guān)速度的是器件的柵極電荷參數(shù)和內(nèi)部柵極電阻，Rg，這兩個參數(shù)幾乎不受這些技術(shù)指針差距 (specmanship) “游戲”的影響。
圖2：定義MOSFET數(shù)據(jù)表開關(guān)時間的波形。
謝謝你花時間閱讀了這個與MOSFET數(shù)據(jù)表有關(guān)的博客系列。我希望這些文章對你有所啟發(fā)，在閱讀之后能夠更清楚地理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的參數(shù)值和含糊不清的地方。請分享整個博客系列，也讓其他人能夠從文中介紹的角度閱讀MOSFET數(shù)據(jù)表，并從中受益。此外，請觀看視頻“NexFET?：世界上最低Rdson 80和100V TO-220 MOSFET”，并在下次設(shè)計(jì)中考慮使用TI的NexFET功率MOSFET產(chǎn)品。
