【導(dǎo)讀】靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會(huì)給電子器件帶來破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能。
1、引言
靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會(huì)給電子器件帶來破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能。
如何使全芯片有效面積盡可能小、高抗ESD性能且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計(jì)者主要考慮的問題。
2、ESD保護(hù)原理
ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為因ESD而遭到損害，保證在任意兩芯片引腳之間發(fā)生的ESD都有低阻旁路將ESD電流引入電源線。這個(gè)低阻旁路不但要能吸收ESD所產(chǎn)生的電流，還要箝位工作電路的電壓，防止工作電路由于電壓過載而受損。在電路正常工作時(shí)，抗靜電結(jié)構(gòu)是不工作的，這使ESD保護(hù)電路還需要有很好的穩(wěn)定性，能在ESD發(fā)生時(shí)快速響應(yīng)，在保護(hù)電路的同時(shí)，抗靜電結(jié)構(gòu)自身不被損壞?？轨o電結(jié)構(gòu)的負(fù)作用（例如輸入延遲）必須在可以接受的范圍內(nèi)，并防止抗靜電結(jié)構(gòu)發(fā)生閂鎖。
3、CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計(jì)在PAD旁或I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD通過PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。具體到I/O電路，就是與PAD相連的輸出驅(qū)動(dòng)和輸入接收器，必須保證在ESD發(fā)生時(shí)，形成與保護(hù)電路并行的低阻通路，旁路ESD電流，且能立即有效地箝位保護(hù)電路電壓。而在這兩部分正常工作時(shí)，不影響電路的正常工作。常用的ESD保護(hù)器件有電阻、二極管、雙極性晶體管、MOS管、可控硅等。由于MOS管與CMOS工藝兼容性好，因此常采用MOS管構(gòu)造保護(hù)電路。
CMOS工藝條件下的NMOS管有一個(gè)橫向寄生n-p-n（源極-p型襯底-漏極）晶體管，這個(gè)寄生的晶體管開啟時(shí)能吸收大量的電流。利用這一現(xiàn)象可在較小面積內(nèi)設(shè)計(jì)出較高ESD耐壓值的保護(hù)電路，其中最典型的器件結(jié)構(gòu)就是柵極接地NMOS（GGNMOS，GateGroundedNMOS）。
在正常工作情況下，NMOS橫向晶體管不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)ESD發(fā)生時(shí)，漏極和襯底的耗盡區(qū)將發(fā)生雪崩，電子空穴對也同時(shí)產(chǎn)生。一部分產(chǎn)生的空穴被源極吸收，其余的流過襯底。由于襯底電阻Rsub的存在，使襯底電壓提高。當(dāng)襯底和源之間的PN結(jié)正偏時(shí)，電子就從源發(fā)射進(jìn)入襯底。這些電子在源漏之間電場的作用下，被加速，產(chǎn)生電子和空穴的碰撞電離，形成更多的電子空穴對，使流過n-p-n晶體管的電流不斷增加，最終使NMOS晶體管發(fā)生二次擊穿，此時(shí)的擊穿不再可逆，最終導(dǎo)致NMOS管損壞。
為了進(jìn)一步降低輸出驅(qū)動(dòng)上NMOS在ESD時(shí)兩端的電壓，可在ESD保護(hù)器件與GGNMOS之間加一個(gè)電阻。這個(gè)電阻不能影響工作信號(hào)，因此不能太大。畫版圖時(shí)通常采用多晶硅（poly）電阻。
只采用一級(jí)ESD保護(hù)，在大ESD電流時(shí)，電路內(nèi)部的管子還是有可能被擊穿。GGNMOS導(dǎo)通，由于ESD電流很大，襯底和金屬連線上的電阻都不能忽略，此時(shí)GGNMOS并不能箝位住輸入到接收端柵的電壓，因?yàn)樽屳斎虢邮斩藮叛趸鑼拥碾妷哼_(dá)到擊穿電壓的是GGNMOS與輸入接收端襯底間的IR壓降。為避免這種情況，可在輸入接收端附近加一個(gè)小尺寸GGNMOS進(jìn)行二級(jí)ESD保護(hù)，用它來箝位輸入接收端柵電壓，如下圖所示。
常見ESD的保護(hù)結(jié)構(gòu)和等效電路
在畫版圖時(shí)，必須注意將二級(jí)ESD保護(hù)電路緊靠輸入接收端，以減小輸入接收端與二級(jí)ESD保護(hù)電路之間的襯底及其連線的電阻。為了在較小的面積內(nèi)畫出大尺寸的NMOS管子，在版圖中常把它畫成手指型，畫版圖時(shí)應(yīng)嚴(yán)格遵循I/O ESD的設(shè)計(jì)規(guī)則。
如果PAD僅作為輸出，保護(hù)電阻和端短接地的NMOS就不需要了，其輸出級(jí)大尺寸的PMOS和NMOS器件本身便可充當(dāng)ESD防護(hù)器件來用，一般輸出級(jí)都有雙保護(hù)環(huán)，這樣可以防止發(fā)生閂鎖。
在全芯片的ESD結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)，注意遵循以下原則：
(1) 外圍VDD、VSS走線盡可能寬，減小走線上的電阻；
(2) 設(shè)計(jì)一種VDD-VSS之間的電壓箝位結(jié)構(gòu)，且在發(fā)生ESD時(shí)能提供VDD-VSS直接低阻抗電流泄放通道。對于面積較大的電路，最好在芯片的四周各放置一個(gè)這樣的結(jié)構(gòu)，若有可能，在芯片外圍放置多個(gè)VDD、VSS的PAD，也可以增強(qiáng)整體電路的抗ESD能力；
(3) 外圍保護(hù)結(jié)構(gòu)的電源及地的走線盡量與內(nèi)部走線分開，外圍ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)盡量做到均勻設(shè)計(jì)，避免版圖設(shè)計(jì)上出現(xiàn)ESD薄弱環(huán)節(jié)；
(4) ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要在電路的ESD性能、芯片面積、保護(hù)結(jié)構(gòu)對電路特性的影響如輸入信號(hào)完整性、電路速度、輸出驅(qū)動(dòng)能力等之間進(jìn)行平衡考慮，還需要考慮工藝的容差，使電路設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)化；
(5) 在實(shí)際設(shè)計(jì)的一些電路中，有時(shí)沒有直接的VDD-VSS電壓箝位保護(hù)結(jié)構(gòu)，此時(shí)，VDD-VSS之間的電壓箝位及ESD電流泄放主要利用全芯片整個(gè)電路的阱與襯底的接觸空間。所以在外圍電路要盡可能多地增加阱與襯底的接觸，且N+P+的間距一致。若有空間，則最好在VDD、VSS的PAD旁邊及四周增加VDD-VSS電壓箝位保護(hù)結(jié)構(gòu)，這樣不僅增強(qiáng)了VDD-VSS模式下的抗ESD能力，也增強(qiáng)了I/O-I/O模式下的抗ESD能力。
一般只要有了上述的大致原則，在與芯片面積折中的考慮下，一般亞微米CMOS電路的抗ESD電壓可達(dá)到2500V以上，已經(jīng)可以滿足商用電路設(shè)計(jì)的抗ESD要求。
對于深亞微米超大規(guī)模CMOSIC的設(shè)計(jì)都不用常規(guī)的ESD保護(hù)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的，大多深亞微米工藝的Foundry生產(chǎn)線都有自己外圍標(biāo)準(zhǔn)的ESD結(jié)構(gòu)提供，有嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)的ESD結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)則等，設(shè)計(jì)師只需調(diào)用其結(jié)構(gòu)就可以了，這可使芯片設(shè)計(jì)師把更多精力放在電路本身的功能、性能等方面的設(shè)計(jì)上。
4、結(jié)束語
ESD保護(hù)設(shè)計(jì)隨著CMOS工藝水平的提高而越來越困難，ESD保護(hù)已經(jīng)不單是輸入腳或輸出腳的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)問題，而是全芯片的靜電防護(hù)問題。芯片里每一個(gè)I/O電路中都需要建立相應(yīng)的ESD保護(hù)電路，此外還要從整個(gè)芯片全盤考慮，采用整片（whole-chip）防護(hù)結(jié)構(gòu)是一個(gè)好的選擇，也能節(jié)省I/OPAD上ESD元件的面積。
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