【導(dǎo)讀】許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。

（1）MOSFET器件結(jié)構(gòu)將根據(jù)要求的耐受電壓來(lái)選擇。確定導(dǎo)通電阻RDS(ON)的因素如圖3-7和方程式3-（1）所示。根據(jù)器件的結(jié)構(gòu)，決定導(dǎo)通電阻的因素比例將發(fā)生變化。

（2）例如，許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。

圖3-7（a）D-MOS的導(dǎo)通電阻決定因素

圖3-7（b）溝槽MOS的導(dǎo)通電阻決定因素

RDS(ON）＝Rsub＋Rdrift＋RJ-FET＋Rch＋RN＋

RDS(ON)＝Rsub＋Rdrift＋Rch＋RN＋???方程式3-（1）

如果是VDSS＝600V，順序?yàn)镽drift >> Rch > RJ-FET，RN+，Rsub和RDS(ON)取決于Rdrift

如果是VDSS＝30V，順序?yàn)镽ch >> Rdrift > RN+，Rsub。溝槽MOS結(jié)構(gòu)的精細(xì)圖形化可以最大限度降低RDS(ON)對(duì)Rch的依賴(lài)性

（來(lái)源：東芝半導(dǎo)體）

免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)電話(huà)或者郵箱editor@52solution.com聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。

推薦閱讀：

數(shù)字信號(hào)控制器構(gòu)建更好的汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)" style="white-space: normal;">如何使用數(shù)字信號(hào)控制器構(gòu)建更好的汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)

了解 3 種靜態(tài)電流 (IQ) 的規(guī)格

高壓放大器在交變電場(chǎng)空間電荷測(cè)量研究中的應(yīng)用

使用 LTspice 進(jìn)行電源電路設(shè)計(jì)的技巧

如何使用分立式 JFET 放大低噪聲電路中的小信號(hào)？