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     電力MOSFET中文名字是電力場效應(yīng)管，是一種結(jié)型電力場效應(yīng)晶體管，具有開關(guān)快，頻率高，電流容量小，耐壓低等等優(yōu)點(diǎn)，那么它的主要參數(shù)有哪些呢，小編給大家講解一下：

   （1）漏源擊穿電壓U_Dss
    U_Dss常為結(jié)溫在25~150℃之間時(shí)漏源極的擊穿電壓。該參數(shù)限制了MOSFET的工作電壓，常用的MOSFET的U_DSS通常在1000V以下，尤其以500V及以下器件的各項(xiàng)性能。需要注意的是常用的MOSFET的漏源擊穿電壓具有正釀系數(shù)，因此在溫度低于測試條件時(shí)，UDSS值會(huì)低;于產(chǎn)品手冊(cè)數(shù)據(jù)。
    （2）漏極連續(xù)電流額定值Id和漏極脈沖電流峰值IDM
    這是標(biāo)稱電力MOSFET電流定額的參數(shù)，一般情況下:I_DM是ID的2-4倍。工作溫度對(duì)器件的漏極電流影響很大，產(chǎn)品的生產(chǎn)廠商通常也會(huì)給出不同殼溫下，允許的漏極連續(xù)電流變化情況。在實(shí)際器件參數(shù)計(jì)算時(shí)，必須考慮其損耗及散熱情況得出殼溫，由此核算它的電流定額。通常在売溫為80~90℃，器件可用的連續(xù)工作電流只有Tc=25℃時(shí) 額定值Id的60%~70%。
    （3）漏源通態(tài)電阻RDS（ON）
    該參數(shù)是在柵源間施加一定電壓 (10~15V )時(shí)，漏源間的導(dǎo)通電阻。漏源通態(tài)電阻R_DS（on）直接影響器件的通態(tài)壓降及損耗，通常額定電壓低、電流大的器件RDS（on）較小。此外，R_DS（on）還與驅(qū)動(dòng)電壓及結(jié)溫有關(guān)。增大驅(qū)動(dòng)電壓可以減小R_DS（on）。R_DS （on）具有正的溫度系數(shù)，隨著結(jié)溫的升高而增加， 這一特性使MOSFET并聯(lián)運(yùn)行較為容易。
    （4）柵源電壓U_GS
    由于柵源之間的SIO2絕緣層很薄，當(dāng)|U_GS|＞20V時(shí)將導(dǎo)致絕緣擊穿。因此在焊接，驅(qū)動(dòng)等方面必須注意。
    （5）跨導(dǎo)G_fs
    在規(guī)定的工作點(diǎn)下，MOSFET轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率稱為該器件的跨導(dǎo)。即

    （6）極間電容
    MOSFET的3個(gè)電極之間分別存在極間電容C_GS，C_GD和C_DS。一般生產(chǎn)廠商提供的是漏源極短路時(shí)的輸入電容，C_iss共源極輸出電容C_oss和反向轉(zhuǎn)移電容C_rss。它們之間的關(guān)系是：

    盡管電力MOSFET是用柵源間電壓驅(qū)動(dòng)，阻抗很高，單由于存在輸入電容Ciss，開關(guān)過程中驅(qū)動(dòng)電路要輸入電容沖放電。這樣，用作高頻開關(guān)時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路必須具有很低的內(nèi)阻抗及一定的驅(qū)動(dòng)電流能力。