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　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏。控制橫向電場(chǎng)的電極稱(chēng)為柵。

　　根據(jù)柵的結(jié)構(gòu)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種：

　　①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極)；

　　②MOS場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極，見(jiàn)金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）；

　　③MES場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場(chǎng)效應(yīng)管使用廣泛。尤其在大規(guī)模的發(fā)展中，MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場(chǎng)效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。

　　在MOS器件的基礎(chǔ)上，又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲(chǔ)的電荷作為信息，控制表面附近的勢(shì)阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲(chǔ)器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。