ISL6622、ISL為二極管仿真、服務器、臺式機、游戲應用的柵極電壓優化有助于實現最佳輕負載性能

美國加州、MILPITAS — 2008年10月30日 — 全球高性能模擬半導體設計和制造領導廠商Intersil公司（納斯達克全球精選市場交易代碼：ISIL）今天宣布，推出新系列12V至5V同步整流降壓式MOSFET驅動器，為英特爾 VR11.1系統提供業界最高的輕負載效率。

ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有的吸收能力，以及快速上升/下降時間，支持高達1MHz的開關頻率。這將有助于實現非常高的總體效率。

ISL6622結合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N溝道MOSFET，其先進PWM協議可為先進微處理器提供完整的內核電壓穩壓器解決方案。

ISL6622有助于實現提高輕負載效率所需PSI模式期間的二極管仿真操作，并通過電感器電流為零時的檢測實現非連續導通模式（DCM）。當檢測到“零”時，低側MOSFET處于關斷狀態，以防止出現吸收電流并消除伴隨反向電流的功率損失。Intersil的柵極電壓優化技術（GVOT）還可用于PSI模式；通過降低柵極驅動電壓，可以顯著降低控制輕負載條件下總功耗損失的開關損耗。這增加了ISL6622提供的總效率。

這些PWM控制器還具有自適應擊穿保護功能，以防止高低側MOSFET的同時導通。此外，這些控制器還集成了一個20kΩ的高側柵極至源極電阻器，以防止由于高輸入總線差動電壓引起的自導通。

與VCC同時操作的過壓保護可以降至POR閾值：PHASE節點可通過一個10kΩ電阻器連接至低側MOSFET（LGATE）的柵極，以使轉換器的輸出電壓保持接近低側MOSFET柵極閾值。這種能力可以防止出現負載高側MOSFET短路的情形。

該驅動器采用具有不同驅動電壓的兩種封裝類型。ISL6622采用8引線SOIC封裝，可在正常PWM模式期間將高側和低側柵極驅動至VCC；在PSI模式時將低側柵極降至固定 V典型值。ISL采用10引線DFN封裝，通過UVCC引腳可以將高側柵極驅動到5V至12V；低側柵極有一個可選的電阻器，可以在PSI模式下驅動V、和的典型電壓。

今天推出的新系列MOSFET驅動器適用于采用英特爾處理器構建的各種服務器、工作站、臺式機和游戲主板應用。同時，它們也是VRM應用的理想設計方案。

定價及供貨情況

現已上市的ISL6622/A/B采用8引線SOIC封裝，1,000定購批量的定價為每片美元，而10引線DFN封裝的1,000定購批量定價為每片美元。

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