本文來(lái)自網(wǎng)絡(luò)
一、射頻和微波開(kāi)關(guān)
鑒于通信行業(yè)的爆炸性增長(zhǎng)，從射頻集成電路（RFIC）和微波單片集成電路（MMIC）等有源元件到完整的通信系統(tǒng)的各種組件需要大量測(cè)試。雖然這些部件的測(cè)試要求和程序差別很大，但所有部件都是在非常高的頻率下進(jìn)行測(cè)試的，通常在吉赫茲范圍內(nèi)。測(cè)試系統(tǒng)的主要部件可能包括直流偏壓、直流測(cè)量、射頻功率計(jì)、網(wǎng)絡(luò)分析儀、射頻源和其他儀器。自動(dòng)化測(cè)試過(guò)程和提高測(cè)試效率需要將射頻/微波和低頻開(kāi)關(guān)系統(tǒng)集成到測(cè)試系統(tǒng)中。
射頻（或微波）信號(hào)有不同于直流或低頻交流信號(hào)的開(kāi)關(guān)考慮因素，包括插入損耗、串?dāng)_、傳輸延遲和無(wú)端接的短截線。因此，射頻信號(hào)的開(kāi)關(guān)配置旨在將信號(hào)損耗降至最低，并通過(guò)系統(tǒng)保持特性阻抗。SPDT、級(jí)聯(lián)、樹(shù)或矩陣開(kāi)關(guān)可用于微波信號(hào)路由。
二、微波開(kāi)關(guān)類(lèi)型
可用的微波開(kāi)關(guān)配置包括一個(gè)簡(jiǎn)單的單刀雙擲（SPDT）開(kāi)關(guān)、多位置開(kāi)關(guān)、級(jí)聯(lián)和樹(shù)開(kāi)關(guān)、矩陣開(kāi)關(guān)。
2.1 SPDT開(kāi)關(guān)
SPDT開(kāi)關(guān)有一個(gè)輸入端口，可以連接到兩個(gè)輸出端口中的一個(gè)。多位置開(kāi)關(guān)將一個(gè)輸入端口連接到多個(gè)輸出端口之一。pickering的SPDT射頻開(kāi)關(guān)最多可有17個(gè)通道，頻率最高可達(dá)8GHz，阻抗為50 ohm和75 ohm。
2.2 級(jí)聯(lián)開(kāi)關(guān)
級(jí)聯(lián)開(kāi)關(guān)使用多個(gè)繼電器將一個(gè)輸入連接到多個(gè)輸出之一。路徑長(zhǎng)度（因此，相位延遲）會(huì)有所不同，這取決于信號(hào)必須經(jīng)過(guò)的繼電器數(shù)量。
級(jí)聯(lián)開(kāi)關(guān)用于將一臺(tái)儀器連接到具有最小阻抗不連續(xù)性的多個(gè)設(shè)備或測(cè)試點(diǎn)之一。這一點(diǎn)很重要，主要是在10MHz及更高的頻率下防止不必要的信號(hào)反射。這種反射會(huì)在振幅測(cè)量中產(chǎn)生誤差。如圖1所示，任何一個(gè)繼電器的啟動(dòng)都會(huì)斷開(kāi)所有其他設(shè)備與電源的連接。在本例中，如果通道1（通道1）被激活，則從源到設(shè)備2建立一個(gè)恒定的阻抗路徑。所有其他設(shè)備都與此路徑隔離。利用兩個(gè)級(jí)聯(lián)開(kāi)關(guān)組，可以對(duì)每個(gè)被測(cè)設(shè)備進(jìn)行源和測(cè)量連接。級(jí)聯(lián)配置的優(yōu)點(diǎn)是沒(méi)有未端接短截線，并且配置易于擴(kuò)展。級(jí)聯(lián)配置的一個(gè)缺點(diǎn)是，信號(hào)可能通過(guò)多個(gè)開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)傳遞到被測(cè)設(shè)備，導(dǎo)致信號(hào)損失更大。傳播延遲隨路徑長(zhǎng)度的增加而大。
圖1. 級(jí)聯(lián)開(kāi)關(guān)配置
2.3 樹(shù)開(kāi)關(guān)
圖2所示的樹(shù)開(kāi)關(guān)配置是級(jí)聯(lián)配置的替代方案。與級(jí)聯(lián)配置相比，樹(shù)技術(shù)需要更多的繼電器用于相同大小的系統(tǒng)，但是給定路徑和任何未使用路徑之間的隔離可能會(huì)更好一些。這將減少串?dāng)_和直流泄漏。樹(shù)形開(kāi)關(guān)配置也用于大于10MHz的頻率。
樹(shù)配置的優(yōu)點(diǎn)包括沒(méi)有未端接短截線，以及通道具有相似的特性。然而，給定路徑中的多個(gè)繼電器意味著會(huì)有更大的損耗。
圖2. 多路復(fù)用（兩層樹(shù)開(kāi)關(guān)）
例如pickering40-876-104 3GHz多路復(fù)用開(kāi)關(guān)板卡、40-881A-002 8 GHz多路復(fù)用開(kāi)關(guān)板卡均采用樹(shù)形配置，阻抗為50 ohm和75 ohm。
2.4 矩陣開(kāi)關(guān)
矩陣開(kāi)關(guān)可以將任何輸入連接到任何輸出。微波開(kāi)關(guān)中使用兩種矩陣：阻塞矩陣和非阻塞矩陣。一個(gè)阻塞矩陣將任何一個(gè)輸入連接到任何一個(gè)輸出。其他輸入和輸出不能同時(shí)連接。非阻塞矩陣允許通過(guò)矩陣同時(shí)連接多條路徑。級(jí)聯(lián)開(kāi)關(guān)是多位置開(kāi)關(guān)的另一種形式。
對(duì)于矩陣，構(gòu)建給定交換系統(tǒng)所需的射頻繼電器和電纜的數(shù)量（成本高）與系統(tǒng)輸入和輸出的數(shù)量相關(guān)。矩陣開(kāi)關(guān)有三種基本類(lèi)型：阻塞矩陣、非阻塞矩陣和完整或部分訪問(wèn)矩陣。
圖3和圖4都是4×4的開(kāi)關(guān)矩陣。區(qū)別在于可以同時(shí)切換多少信號(hào)。圖3的阻塞矩陣允許將單個(gè)輸入連接到任何單個(gè)輸出。因此，在任何給定時(shí)間只有一個(gè)信號(hào)路徑是可用的。
圖4中的非阻塞矩陣允許同時(shí)連接多個(gè)輸入/輸出信號(hào)路徑，如果需要，可連接到矩陣輸入的完整數(shù)量。隨著繼電器和電纜數(shù)量的增加，這種配置更加靈活和昂貴。
盡管可以關(guān)閉多條路徑，但這僅適用于直流測(cè)試，例如，對(duì)多個(gè)DUT施加連續(xù)偏壓。考慮阻抗要排除在射頻和微波測(cè)試中關(guān)閉多條路徑。
完整或部分訪問(wèn)矩陣，也稱(chēng)為完整或部分輸出端數(shù)矩陣（圖5），允許同時(shí)將輸入連接到多個(gè)輸出。這種矩陣需要在每個(gè)輸入端都有一個(gè)功率分配器，在輸出端需要一個(gè)多位置開(kāi)關(guān)。
這些開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn)包括沒(méi)有未端接的短截線、可使用所有通道以及類(lèi)似的路徑特性。缺點(diǎn)包括需要廣泛的布線和使用許多同軸繼電器。
Pickering的40-884A-001 10 MHz - 8 GHz矩陣開(kāi)關(guān)，是4 x 4通道，阻抗為50 ohm和75 ohm，可以使用任何矩陣開(kāi)關(guān)位置。
圖3. 單通道阻塞矩陣
圖4. 非阻塞矩陣
圖5. 完全訪問(wèn)矩陣
三、射頻開(kāi)關(guān)選擇和設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
在選擇射頻開(kāi)關(guān)系統(tǒng)時(shí)，要考慮一些關(guān)鍵電氣規(guī)范包括串?dāng)_（路徑隔離）、插入損耗、電壓駐波比（VSWR）和帶寬。在設(shè)計(jì)射頻開(kāi)關(guān)系統(tǒng)時(shí)，可能影響開(kāi)關(guān)系統(tǒng)性能的其他因素包括阻抗匹配、端接、功率傳輸、信號(hào)濾波器、相位畸變和布線。開(kāi)關(guān)的使用不可避免地會(huì)降低測(cè)量系統(tǒng)的性能，因此重要的是要考慮幾個(gè)可能顯著影響系統(tǒng)性能的關(guān)鍵參數(shù)。在設(shè)計(jì)階段，成本和收益經(jīng)常相互權(quán)衡，以獲得最佳解決方案。
3.1 串?dāng)_
串?dāng)_是測(cè)量高頻信號(hào)從一個(gè)通道泄漏到另一個(gè)通道。它是通道間雜散電容、互感和漏電電阻的結(jié)果，通常在特定頻率下以分貝表示。
圖6顯示了串?dāng)_的一個(gè)例子。在本例中，10V交流信號(hào)源（v1）通過(guò)開(kāi)關(guān)卡的通道1連接到負(fù)載電阻（r）。交流電壓表（V2）通過(guò)通道2連接到第二信號(hào)源。
通道1和通道2之間的阻抗（Z）引起的串?dāng)_以分貝為單位規(guī)定為：
這個(gè)方程也可以用射頻功率表示
圖6. 串?dāng)_例子
為了在通道2上找到由于通道1上的信號(hào)而產(chǎn)生的最大信號(hào)，方程式為V2：
V2 = V1 [10^(crosstalk (dB)/20)]
例如，如果通道隔離或串?dāng)_規(guī)格為–60dB，通道1上的10V信號(hào)將導(dǎo)致在信號(hào)源設(shè)置為零伏的情況下，在V2處出現(xiàn)以下電壓：
V2 = V1 [10^(–60/20)]
V2 = 10V (10–3)
V2 = 10mV
如果要在通道2處測(cè)量的信號(hào)只有幾毫伏，則該附加電壓將導(dǎo)致嚴(yán)重的誤差。
如果開(kāi)關(guān)將用于直流或甚低頻交流信號(hào)，考慮并聯(lián)電容的漏電電阻的隔離可能更容易。
3.2 隔離
是對(duì)開(kāi)關(guān)卡上路徑之間的漏電電阻的測(cè)量。路徑可以在任何終端和接地（共模）之間，也可以在任何兩個(gè)終端之間。例如，可以是任意兩個(gè)通道（通道到通道）之間的電阻，也可以是給定通道（差分）的Hi和Lo輸入之間的電阻。絕緣是根據(jù)電阻和電容來(lái)規(guī)定的。隔離度應(yīng)盡可能高，以避免切換高阻抗電路時(shí)出錯(cuò)。
通常不需要驗(yàn)證開(kāi)關(guān)板卡上的隔離電容，因?yàn)殡娙菔菣C(jī)械功能，不應(yīng)隨時(shí)間變化。相反，隔離電阻會(huì)隨著時(shí)間的推移而變化，因?yàn)樗鼤?huì)受到濕度變化的影響，也會(huì)受到環(huán)境或開(kāi)關(guān)板卡操作造成的污染的影響。
絕緣電阻的測(cè)量通常是通過(guò)提供電壓，然后用靜電計(jì)或皮安計(jì)測(cè)量產(chǎn)生的電流來(lái)完成的。隔離電阻按R = V/I計(jì)算。如何執(zhí)行隔離測(cè)量的一般說(shuō)明如下。
a. 通道到通道。這是多路復(fù)用器開(kāi)關(guān)卡上任意兩個(gè)通道之間的隔離測(cè)量。在一個(gè)通道打開(kāi)和一個(gè)通道關(guān)閉的情況下進(jìn)行測(cè)量。
兩極A型開(kāi)關(guān)板卡的測(cè)量示例（通道1到通道2）
(1). 斷開(kāi)卡的所有連接。
(2). 將通道1的HI和LO端口連接在一起。
(3). 將通道2的HI和LO端口連接在一起。
(4). 關(guān)閉通道2
(5). 測(cè)量通道1輸入和通道2輸入之間的電阻。
b. 輸入隔離，差分。這是給定通道上的HI和LO之間的隔離。這種電阻包括繼電器兩極之間的漏電以及印刷電路板引起的漏電。
兩極A型開(kāi)關(guān)板卡測(cè)量示例（通道1）：
(1). 斷開(kāi)卡的所有連接。
(2). 關(guān)閉通道1。
(3). 測(cè)量HI和LO輸出之間的電阻。
c. 輸入隔離，共模。這是給定通道的輸入（hi和lo）與保護(hù)或屏蔽之間的隔離。本規(guī)范僅適用于帶保護(hù)或屏蔽的兩極卡和帶保護(hù)的三極卡。
測(cè)量實(shí)例（通道1）
(1). 斷開(kāi)卡的所有連接。
(2). 將通道1的HI和LO端口連接在一起。
(3). 關(guān)閉通道1
(4). 測(cè)量輸出端口和防護(hù)或屏蔽端口之間的電阻。
d. 路徑。矩陣卡的路徑隔離是從一條路徑的HI和LO終端到任何其他路徑的HI和LO終端的阻抗。通常，通過(guò)在兩個(gè)相鄰路徑之間施加電壓（即100 V）來(lái)測(cè)量絕緣，然后測(cè)量泄漏電流。然后用歐姆定律（R = V/I）計(jì)算隔離電阻。
兩極矩陣板卡的測(cè)量示例（第1行，第1列至第2行，第2列）
(1). 斷開(kāi)卡的所有連接。
(2). 將第1列的HI和LO端口連接在一起。
(3). 將第2列的HI和LO端口連接在一起。
(4). 關(guān)閉第1行、第1列和第2行、第2列的交叉點(diǎn)。
(5). 測(cè)量第1列和第2列之間的電阻。
3.3 插入損耗
插入損耗是由于信號(hào)通路中的開(kāi)關(guān)而導(dǎo)致的信號(hào)量減小的度量。插入損耗以分貝為單位，通常以50 ohm電源和50 ohm負(fù)載，并以特定頻率給出。
圖7是將輸出阻抗（ZS）為50 ohm的電壓源（VS）連接到輸入阻抗（ZL）為50 ohm的電壓表的射頻開(kāi)關(guān)卡的示意圖。
圖7. 插入損耗示例
插入損耗計(jì)算如下：
為了確定插入損耗如何影響信號(hào)，可以根據(jù)插入損耗計(jì)算電壓表處的測(cè)量值（VL），如下所示：
VL = VS /10^[Loss(dB)/20], 損失用正值表示。
如果VS為10 V且插入損耗小于1.0 dB，則：
VL > 10V/ 10^(1.0/20), VL大于 8.9 V。
3.4 電壓駐波比
開(kāi)關(guān)卡的電壓駐波比（VSWR）規(guī)定了連接器和開(kāi)關(guān)信號(hào)路徑與傳輸線的特性阻抗的匹配程度。更具體地說(shuō)，電壓駐波比是駐波最大點(diǎn)的電壓與駐波相鄰最小點(diǎn)的電壓之比。當(dāng)電壓駐波比等于1時(shí)，傳輸線不存在反射波。當(dāng)電壓駐波比大于1時(shí)，部分開(kāi)關(guān)信號(hào)被反射回電源，小于最大功率的信號(hào)將被傳輸?shù)截?fù)載。低電壓駐波比對(duì)于設(shè)計(jì)用于信號(hào)串聯(lián)多個(gè)元件的開(kāi)關(guān)系統(tǒng)至關(guān)重要。電壓駐波比還通過(guò)以下方式與反射系數(shù)相關(guān)
式中：ρ=反射系數(shù)
反射系數(shù)是反射波電壓與入射波電壓之比，其計(jì)算公式為
式中：ZL =負(fù)載阻抗，ZS =開(kāi)關(guān)卡的阻抗
為防止出現(xiàn)問(wèn)題，系統(tǒng)中的所有組件都應(yīng)具有較低的電壓駐波比。電壓駐波比也可以表示為回波損耗
如圖8所示，系統(tǒng)的電壓駐波比為1.50:1，回波損耗為14dB，正向功率為50W，反射功率為2W。
圖8. 阻抗失配示例
3.5 3dB帶寬
3dB帶寬是通過(guò)開(kāi)關(guān)卡的正弦波信號(hào)的最大推薦頻率。這是信號(hào)降低到中頻信號(hào)電平0.707倍的頻率。
本規(guī)范基于單開(kāi)關(guān)卡。如果兩個(gè)或多個(gè)卡連接在一起，3dB帶寬將減少。
如果開(kāi)關(guān)用于數(shù)字信號(hào)，最小帶寬可通過(guò)以下方式確定：
帶寬（Hz）=0.35/上升時(shí)間（s）
3.6 阻抗匹配
假設(shè)開(kāi)關(guān)位于測(cè)量?jī)x器和被測(cè)設(shè)備之間，匹配系統(tǒng)中所有元件的阻抗水平至關(guān)重要。為了實(shí)現(xiàn)最佳信號(hào)傳輸，源的輸出阻抗應(yīng)等于開(kāi)關(guān)、電纜和被測(cè)器件的特性阻抗。在射頻測(cè)試中，最常用的阻抗等級(jí)是50 ohm和75 ohm，無(wú)論需要哪種阻抗等級(jí)，適當(dāng)?shù)钠ヅ涠寄鼙ＷC整個(gè)系統(tǒng)的完整性。
輸入電壓駐波比和信號(hào)路徑電壓駐波比決定了測(cè)量精度的限制：
失配不確定度（dB） = 20 × log (1 ± |Γ |^2 )
反射系數(shù)：Γ = (VSWR -1) /(VSWR + 1)
如果信號(hào)路徑輸出和儀器輸入在一個(gè)頻率下都具有1.3:1的良好VSWR，那么僅由失配引起的不確定性為±0.15dB。
3.7 端接
在高頻下，所有信號(hào)必須正確端接，否則電磁波將從終止點(diǎn)反射。反過(guò)來(lái)，這將導(dǎo)致電壓駐波比的增加。未端接開(kāi)關(guān)在其關(guān)閉狀態(tài)下增加了電壓駐波比，而端接開(kāi)關(guān)將嘗試提供50歐姆匹配開(kāi)或關(guān)。如果反射功率足夠大，電壓駐波比的增加甚至?xí)p壞電源。通過(guò)系統(tǒng)的所有路徑必須以其特性阻抗終止。
3.8 功率傳輸
另一個(gè)重要的考慮因素是系統(tǒng)將射頻功率從儀器傳輸?shù)奖粶y(cè)設(shè)備的能力。由于插入損耗，信號(hào)可能需要放大。在其他應(yīng)用中，可能有必要降低DUT的信號(hào)功率。可能需要一個(gè)放大器或衰減器來(lái)確保通過(guò)開(kāi)關(guān)傳輸所需的功率電平。
3.9 信號(hào)濾波器
信號(hào)濾波器在許多情況下都是有用的，例如，當(dāng)信號(hào)通過(guò)開(kāi)關(guān)時(shí)，雜散噪聲被無(wú)意中添加到信號(hào)中。有助于解決原始信號(hào)頻率與被測(cè)設(shè)備的測(cè)試頻率不匹配問(wèn)題。可以在開(kāi)關(guān)上添加濾波器以修改信號(hào)頻率帶寬，或者可以從到被測(cè)設(shè)備的信號(hào)中消除不需要頻率的雜散信號(hào)。
3.10 相位畸變
隨著測(cè)試系統(tǒng)尺寸的擴(kuò)大，來(lái)自同一個(gè)源的信號(hào)可能通過(guò)不同長(zhǎng)度的路徑傳輸?shù)奖粶y(cè)設(shè)備，從而導(dǎo)致相位畸變。這個(gè)規(guī)范通常被稱(chēng)為傳播延遲。對(duì)于給定的傳導(dǎo)介質(zhì)，延遲與信號(hào)路徑的長(zhǎng)度成正比。不同的信號(hào)路徑長(zhǎng)度將導(dǎo)致信號(hào)相位偏移。這種相移可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)量結(jié)果。為了最小化相位失真，保持路徑長(zhǎng)度不變。
