電力調(diào)整器負載類型有以下一些：
一、純阻性負載
二、變壓器感性負載
次級線圈接純阻性負載
次級線圈接冷態(tài)阻性負載
變壓器負載啟動階段會產(chǎn)生浪涌電流，對于這類型應(yīng)用，需要選用特殊的SCR功率調(diào)整器。仔細檢查變壓器應(yīng)用時，需要考慮接通典型的浪涌電流。這種過電流會導(dǎo)致保險絲或晶閘管損壞。
為避免接通時產(chǎn)生的浪涌電流，建議采用以下一些技術(shù)方案：
1）采用帶軟啟動和電流限制的相位角控制方式，這種控制方式幾乎適用于各類負載。
a. 純電阻；
b. 冷態(tài)電阻（例如：二硅化鉬）
c. 變壓器（耦合純電阻或者冷態(tài)電阻）
d. 電流反饋冷態(tài)電阻
2）猝發(fā)導(dǎo)通控制帶延時觸發(fā)技術(shù)，用來避免磁路飽和，當(dāng)負載電壓為負時，晶閘管單元將關(guān)閉，當(dāng)負載電壓為正時再次接通。這種控制觸發(fā)技術(shù)還具有可調(diào)節(jié)的電壓過零延遲，在這種方式下晶閘管單元電流為零時也能夠接通。這種觸發(fā)控制技術(shù)只能用正常電阻負載，負載電阻值不會隨溫度變化而變化。
三、碳化硅(SiC)
這類型電阻會隨著溫度和使用壽命的變化而變化，元件壽命結(jié)束時的電阻值可以是初始值的 4 倍。
碳化硅是一種半導(dǎo)體材料，具有比金屬電阻材料高得多的電阻率。室溫電阻率相當(dāng)高，隨著溫度的升高下降到約600-900°C的最小值。 在元件溫度高于900°C時，電阻率隨著溫度的升高而增加，如圖所示。
所有碳化硅元件在其運行壽命期間電阻逐漸增加，并且發(fā)生這種情況的速率受以下因素的影響：
a） 元件特定負載
b） 工作溫度
c） 工藝氣氛
d） 操作模式（連續(xù)或間歇）
e） 使用的電源類型
f） 元素類型
為了優(yōu)化加熱芯體壽命，應(yīng)選擇正確類型的加熱芯體，并使用與電爐設(shè)計一致的最低負荷。為了補償元件電阻的逐漸增加（老化），通常提供可變電壓電源，以使設(shè)計功率能夠在元件的整個生命周期內(nèi)保持。
四、紅外燈(IR Lamps)
紅外短波負載可以通過不同類型的觸發(fā)驅(qū)動：單周波控制、猝發(fā)周波控制和帶電流限制的相位角觸發(fā)控制。
上圖顯示了如果我們使用相位角加電流限制，浪涌電流如何比單周期保持更長的時間。單周期技術(shù)是驅(qū)動紅外短波形最常用的技術(shù)。在關(guān)閉期間，IRSW元件變冷（由于其低慣性），當(dāng)再次接通時，會出現(xiàn)電流峰值。該電流峰值是猝發(fā)周波控制周期數(shù)的函數(shù)，因此關(guān)閉時間必須盡可能短，以降低該電流峰值。此類應(yīng)用不能使用相位角控制，因為電源電壓通常達不到標(biāo)稱電壓，因此元件永遠達不到工作溫度。
有不同類型的紅外：短波形、中波形和長波形。
讓我們特別看看不同種類的紅外線：
* 短波形：峰值電流約為標(biāo)稱電流的7倍。選擇晶閘管必須注意規(guī)格大小；
* 超短波形：峰值電流約為標(biāo)稱電流的16倍。選擇晶閘管必須注意規(guī)格大小；
* 中等波形：峰值電流等于標(biāo)稱電流。無需注意峰值電流；
* 快速中等波形：這些元件非常類似短波形，峰值電流較低，但加熱所需的時間較長，這會給晶閘管帶來壓力；
* 長波形：峰值電流等于標(biāo)稱電流。無需注意峰值電流；
五、二硅化鉬（MoSi2)
* 這種加熱器會隨著溫度的升高而急劇增加電阻率。
* 上圖表顯示，在環(huán)境溫度下，電阻值非常低，電阻率隨著溫度增加而增加，最高增加多達 10 倍。
* 為了不使晶閘管單元的電流過大，有必要通過相位角控制觸發(fā)和電流限制來降低電壓，限制負載流過的電流。
* 當(dāng)電阻值達到設(shè)定值時，可以從HMI中選擇兩種工作方法：- 始終采用相位角加電流限制控制方式；-或者當(dāng)負載電阻為冷態(tài)電阻時，采用相位角加電流限制控制方式，如果負載與變壓器耦合，則轉(zhuǎn)換為延遲觸發(fā)方式。
六、紫外燈（UV Lamp）
紫外燈的控制是通過在關(guān)機期間調(diào)節(jié)功率來降低消耗。
