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1  引言

    大功率電力電子器件[8][9]及大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展, 使得采用高—高直接變換方式實(shí)現(xiàn)高壓(6 kV，10 kV)變頻調(diào)速裝置成為可能。與高—低—高變換方式的高壓變頻器相比， 高—高變頻器具有體積小、重量輕、效率高、性能價(jià)格比高等優(yōu)點(diǎn)，因而得到越來(lái)越多的應(yīng)用。國(guó)內(nèi)也有多家公司推出了采用基于IGBT器件的單元串聯(lián)單相橋式主電路結(jié)構(gòu)的高壓變頻器產(chǎn)品，這種主電路結(jié)構(gòu)由于IGBT器件數(shù)量多、信號(hào)調(diào)制復(fù)雜而使得整體可靠性較差，驅(qū)動(dòng)能力低，其輸出功率也因IGBT單管容量有限而受到限制。而IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor）是90年代在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上，結(jié)合IGBT[5]和GTO等成熟技術(shù)開(kāi)發(fā)的新型器件。因此，它比IGBT更適合于高電壓、大容量方面的使用。同時(shí)IGCT在GTO的基礎(chǔ)上進(jìn)行了重新優(yōu)化設(shè)計(jì)....[查看詳細(xì)]