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科普知識
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IGBT器件

IGBT驅動電路原理及設計方法

發布日期:2022-07-24 點擊率:157

  本文著重介紹三個IGBT驅動電路。驅動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大,以驅動IGBT,保證IGBT的可靠工作,驅動電路起著至關重要的作用,對IGBT驅動電路的基本要求如下:

  (1) 提供適當的正向和反向輸出電壓,使IGBT可靠的開通和關斷。

  (2) 提供足夠大的瞬態功率或瞬時電流,使IGBT能迅速建立柵控電場而導通。

  (3) 盡可能小的輸入輸出延遲時間,以提高工作效率。

  (4) 足夠高的輸入輸出電氣隔離性能,使信號電路與柵極驅動電路絕緣。

  (5) 具有靈敏的過流保護能力。

  驅動電路EXB841/840

  EXB841 工作原理如圖1,當EXB841的14腳和15腳有10mA的電流流過1us以后IGBT正常開通,VCE下降至3V左右,6腳電壓被 鉗制在8V左右,由于VS1穩壓值是13V,所以不會被擊穿,V3不導通,E點的電位約為20V,二極管VD截止,不影響V4和V5正常工作。

  三種<a title=IGBT驅動電路和保護方法詳解" src="http://data.51spec.com:88/51spec/202011/03/111601541.jpg" height="291" width="488"/>

  當 14腳和15腳無電流流過,則V1和V2導通,V2的導通使V4截止、V5導通,IGBT柵極電荷通過V5迅速放電,引腳3電位下降至0V,是 IGBT柵一 射間承受5V左右的負偏壓,IGBT可靠關斷,同時VCE的迅速上升使引腳6“懸空”。C2的放電使得B點電位為0V,則V S1仍然不導通,后續電路不動作,IGBT正常關斷。

  如有過流發生,IGBT的V CE過大使得VD2截止,使得VS1擊穿,V3導通,C4通過R7放電,D點電位下降,從而使IGBT的柵一射間的電壓UGE降低 ,完成慢關斷,實現對IGBT的保護。由EXB841實現過流保護的過程可知,EXB841判定過電流的主要依據是6腳的電壓,6腳的電壓不僅與VCE 有關,還和二極管VD2的導通電壓Vd有關。

  三種IGBT驅動電路和保護方法詳解

  典型接線方法如圖2,使用時注意如下幾點:

  a、IGBT柵-射極驅動回路往返接線不能太長(一般應該小于1m),并且應該采用雙絞線接法,防止干擾。

  b、由于IGBT集電極產生較大的電壓尖脈沖,增加IGBT柵極串聯電阻RG有利于其安全工作。但是柵極電阻RG不能太大也不能太小,如果 RG增大,則開通關斷時間延長,使得開通能耗增加;相反,如果RG太小,則使得di/dt增加,容易產生誤導通。

  c、圖中電容C用來吸收由電源連接阻抗引起的供電電壓變化,并不是電源的供電濾波電容,一般取值為47 F。

  d、6腳過電流保護取樣信號連接端,通過快恢復二極管接IGBT集電極。

  e、14、15接驅動信號,一般14腳接脈沖形成部分的地,15腳接輸入信號的正端,15端的輸入電流一般應該小于20mA,故在15腳前加限流電阻。

  f、為了保證可靠的關斷與導通,在柵射極加穩壓二極管。

  b、端口VL/Reset

  這個端子是用來定義具有施密特性質的輸入InA和InB的,使得輸入在2/3VL時開通,在I/3 VL時作為關斷信號。當PWM信號是TTL電平時, 該端子連接如圖3-5所示,當輸入InA和InB信號為15V的時候,該端子應該通過一個大約1K左右的電阻連接到++15V電源上,這樣開啟和關斷電壓 分別應該是lov和5V。另外,輸入UL/Reset端還有另外的功能:如果其接地,則邏輯驅動接口單元l.DI001內的錯誤信息被清除。

  c、門極輸出端

  門極輸出Gx端子接電力半導體的門極,當SCALE驅動器用15V供電的時候,門極輸出土15V.負的門極電壓由驅動器內部產生。使用如圖3-6 結構的電路可以實現開通和關斷的速度的不一樣,增加了用戶使用的靈活性。

  d、布局和布線

  驅動器應該盡可能近的和功率半導體放在一起,這樣從驅動器到電力晶體管的引線就會盡可能的短,一般來說驅動器的連線盡量不要長 過10厘米。同時一般要求到集電極和發射極的引線采用絞合線,還有可以在IGBT的門極和發射極之間連接一對齊納穩壓二極管(15~18V) 來保護IGBT不會被擊穿。

  三種IGBT驅動電路和保護方法詳解

  驅動模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源,輸入引腳RC1和RC2接地,為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V,信號輸入管腳InA、 InB連 接在一起接收來自單片機的脈沖信號,進行同步控制。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳外接三極管和光耦用來向單片機輸出兩輸出通道的 工作狀態,其輸出端結構皆為集電極開路輸出,可以通過外接上拉電阻以適用于各種電平邏輯。 在管腳SO1、SO2和電源之間以及VisoX 和LSX之間加發光二極管進行故障指示。正常情況下SO1和SO2輸出皆為高電平,上電后D3和D4先亮,延時幾秒后熄滅,同時D8和D15發亮。

  當檢測到故障信號時,SO1和SO2的輸出電平被拉低到地,即D3和D4發亮,同時D8和D15閃爍。2SD315A是通過監測UCE(sat)來 判斷回路是否 短路和過流,當檢測到一路或兩路發生過流現象時,檢測電路會把異常狀態回饋到驅動模塊,驅動模塊內部會產生一個故障信號并將它 鎖存,鎖存時間為1s,在這段時間內,驅動模塊不再輸出信號,而是將兩組IGBT及時關斷予以保護。同時,狀態輸出管腳SO1和SO2的高電平 被拉低,光耦TLP521導通,兩路狀態信號通過或門74LS32送給單片機。為防止因關斷速度太快在IGBT的集電極上產生很高的反電動勢,在門極輸出 端采用如圖所示的電路結構實現開通和關斷速度的不同。開通時門極電阻為3.4Ω,關斷時電阻為6.8Ω,二極管采用快恢 復型,這樣就使關斷速度下降到安全水平。

  IGBT短路失效機理

  IGBT負載短路下的幾種后果

  (1) 超過熱極限:半導體的本征溫度極限為250℃,當結溫超過本征溫度,器件將喪失阻斷能力,IGBT負載短路時,由于短路電流時結溫升 高,一旦超過其熱極限時,門級保護也相應失效。

  (2) 電流擎住效應:正常工作電流下,IGBT由于薄層電阻Rs很小,沒有電流擎住現象,但在短路狀態下,由于短路電流很大,當Rs上的壓降 高于0.7V時,使J1正偏,產生電流擎住,門級便失去電壓控制。

  (3) 關斷過電壓:為了抑制短路電流,當故障發生時,控制電路立即撤去正門級電壓,將IGBT關斷,短路電流相應下降。由于短路電流大, 因此,關斷中電流下降率很高,在布線電感中將感生很高的電壓,尤其是在器件內封裝引線電感上的這種感應電壓很難抑制,它將使器件有過電流變為關斷過電壓而 失效。

  IGBT過流保護方法

  (1) 減壓法:是指在故障出現時,降低門級電壓。由于短路電流比例于外加正門級電壓Ug1,因此在故障時,可將正門級電壓降低。

  (2) 切斷脈沖方法:由于在過流時,Uce電壓升高,我們利用檢測集電極電壓的方法來判斷是否過流,如果過流,就切斷觸發脈沖。同時盡 量采用軟關斷方式,緩解短路電流的下降率,避免產生過電壓造成對IGBT的損壞。

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