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      onsemi IRL640A MOSFET IRL640A, N-Channel Logic Level A-FET 200V 18A 180mOhm Data Sheet

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      更新日期:2022-10-13    瀏覽次數(shù):61    下載次數(shù):0
      onsemi IRL640A MOSFET IRL640A, N-Channel Logic Level A-FET 200V 18A 180mOhm Data Sheet
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      增強模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

      增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。

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