Infineon PG-to-252-3 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新時代的產品、在 10V 柵源電壓下具有 6.8 毫歐的漏源電阻。MOSFET 具有 90A 的連續漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 100V 。它的最大功耗為 150W 。 MOSFET 的最小和最大驅動電壓分別為 6V 和 10V 。它經過優化、可降低開關和傳導損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。
?易于設計產品
? 環保
?出色的柵極充電 x R DS （開）產品（ FOM ）
?出色的交換性能
? 無鹵素
?最高功率密度
?適用于高頻切換和同步整流
? 效率提高
?無鉛 (Pb) 電鍍
?需要的并聯更少
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?最小的板空間消耗
? Qg 和 Qgd 非常低
?全球最低 RDS （接通）
? D 類音頻放大器
?隔離直流到直流轉換器（電信和數據通信系統）
? 48V - 80V 系統的電機控制（家用車輛、電動工具、卡車）
? 48V 系統中的 O 形圈開關和斷路器
?同步整流器
? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 90 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | 到 -252-3 |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 引腳數目 | 3 + 2 Tab |
| 最大漏源電阻值 | 12.3 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 寬度 | 7.47mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 51 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.73mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
