STMicroelectronics STL125N8F7AG 是 N 溝道功率 MOSFET ,采用 STripFET F7 技術,具有增強型溝道柵極結構,可產生非常低的通態電阻,同時還可減少內部電容和柵極電荷,實現更快,更高效的切換。
高耐雪崩性
可潤側翼封裝
符合 AEC-Q101
出色的 FOM.
屬性 | 數值 |
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最大連續漏極電流 | 120 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | PowerFLAT 5x6 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 4.5e+006 Ω |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |