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      Infineon IMBG65R107M1HXTMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IMBG65R107M1HXTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IMBG65R107M1HXTMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      英飛凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC,基于固體碳化硅技術(shù),利用寬帶隙 SiC 材料特性,650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的獨(dú)特組合,適用于在高溫和惡劣環(huán)境中操作,可實(shí)現(xiàn)最高系統(tǒng)效率的簡化和具有成本效益的部署。

      更高電流時的優(yōu)化切換行為,
      切換堅固的快速主體二極管,具有低 Qf,
      卓越的
      柵極氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的熱性行為,
      較低的 RDS(接通)和脈沖電流依賴溫度,
      增強(qiáng)的浪涌能力,
      與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動器兼
      容,Kelvin 源提供高達(dá) 4 倍低的切換損耗


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 24 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 TO-263
      安裝類型 表面貼裝
      暫無

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