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      STMicroelectronics STB18N60M6 MOSFET

      訂 貨 號:STB18N60M6      品牌:Tronics

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      STMicroelectronics STB18N60M6 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      新型 MDmesh M6 技術(shù)融合了著名的整合式 Mdmesh 系列 SJ MOSFET 的最新進步。STMicroelectronics 通過其全新 M6 技術(shù)構(gòu)建了上一代 MDMESH 設(shè)備、該技術(shù)將出色的 RDS (接通)每個區(qū)域改進與最有效的交換行為之一結(jié)合在一起、并提供用戶友好的體驗、以實現(xiàn)最大的最終應(yīng)用效率。

      減少切換損耗
      與上一代相比、每個區(qū)域的 RDS (接通)更低
      低澆口輸入電阻

      提供齊納保護


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 13 A
      封裝類型 D2PAK
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 280 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4.75V
      最小柵閾值電壓 3.25V
      最大功率耗散 110 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±25 V
      典型柵極電荷@Vgs 16.8 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 10.4mm
      寬度 9.35mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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