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訂 貨 號(hào):SCTWA35N65G2V 品牌:Tronics
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
STMicroelectronics 功率 mosfet 是使用 st Advanced and innovative 2nd generation sic mosfet 技術(shù)開發(fā)的。該設(shè)備的每個(gè)裝置區(qū)域具有非常低的接通電阻和非常好的切換性能。接通電阻和切換損耗的變化幾乎獨(dú)立于接點(diǎn)溫度。
低電容
非常快速且堅(jiān)固的固有主體二極管
導(dǎo)通電阻與之間的差異非常小溫度
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 45 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | HiP247 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.072 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3.2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | SiC |