STMicroelectronics SCTWA60N 是一款碳化硅功率 MOSFET 器件，采用 ST 的 Advanced 和創新的第 2 代 SiC MOSFET 技術開發而成。該設備的單位面積具有極低的接通電阻和非常好的切換性能。切換損耗的變化幾乎與接點溫度無關。
非常快速且堅固的本征主體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
源感應引腳，用于提高效率
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續漏極電流 | 60 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | HiP247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 5.2e+007 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
