此高電壓 N 通道功率 MOSFET 是 MDMESH ? DM6 快速恢復二極管系列的一部分。與上一代 MDMESH 相比、 DM6 將極低的恢復電荷（ Qrr ）、恢復時間（ TRR ）和每個區域的 RDS （ ON ）的出色改進與最苛刻的高效橋接拓撲和 ZVS 相移轉換器的有效切換行為相結合。
快速恢復主體二極管
與上一代相比、每個區域的 RDS （接通）更低
低柵極電荷、輸入電容和電阻
極高的 dv/dt 堅固性
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 15 A |
| 封裝類型 | PowerFLAT ? |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 215 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
| 最小柵閾值電壓 | 3.25V |
| 最大功率耗散 | 110 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 24 nC @ 10 V |
| 寬度 | 8.1mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 8.1mm |
