此 HEXFET? 功率 MOSFET 利用最新工藝技術實現每硅區域極低接通電阻。此設計的其他功能包括 175°C 結點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。這些功能相結合形成這款極其高效且可靠的器件，適合用于各種應用。
先進的工藝技術
超低接通電阻
動態 dv/dt 額定值
175°C 工作溫度
快速切換
重復雪崩允許高達 Tjmax
無鉛
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 59 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 2 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 18 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 160 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 82 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 10.67mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 9.65mm |
