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      Infineon BSC014N04LSATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:BSC014N04LSATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環 球 價: 登陸后可查看

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      Infineon BSC014N04LSATMA1 MOSFET
      產品詳細信息

      新的 40V 和 60V 產品系列,不僅具有業內最低的 R DS(on),還具有完美的切換行為,適用于快速切換應用。新的 40V 和 60V 產品系列,通過采用高級薄芯片技術,使 R DS(on) 和品質因數 (R DS(on) x Q g) 較可替代器件分別下降 15% 和 31%,不僅具有業內最低的 R DS(on),還具有完美的切換行為,適用于快速切換應用。通過采用高級薄芯片技術,使 R DS(on) 和品質因數 (R DS(on) x Q g) 較可替代器件分別下降 15% 和 31%

      經優化可用于同步整流
      R DS(on) 較可替代設備減少 15%
      FOM 較類似器件提高 31%
      集成式肖特基二極管
      無鹵
      優點:
      最高系統效率
      所需并聯減少
      功率密度增加
      系統成本降低
      非常低的電壓過沖
      目標應用:
      同步整流
      太陽能微型變頻器
      隔離直流-直流轉換器
      電動機控制
      Or-ing 開關


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 100 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 TDSON
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 8
      最大漏源電阻值 1.9 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 96 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 20 V
      長度 5.15mm
      最高工作溫度 +150 °C
      典型柵極電荷@Vgs 61 nC @ 10 V
      寬度 6.15mm
      每片芯片元件數目 1
      暫無

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