STMicroelectronics 高電壓 N 通道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢復二極管系列的一部分。與之前的 MDmesh 快速生成相比， DM6 將每個區域的 RDS (接通) 的極低恢復電荷 (Qrr) ，恢復時間 (TRR) 和出色的改進與嚴苛的高效橋接拓撲和 ZVS 相移轉換器市場上最有效的切換行為之一相結合。
快速恢復體二極管
與上一代產品相比，每個區域的 RDS (接通) 較低
低柵極電荷，輸入電容和電阻
通過 100% 雪崩測試
極高 dv/dt 堅固性
提供齊納保護
得益于額外的驅動源引腳，具有出色的切換性能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 46 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-LL A2 型 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.076 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
| 每片芯片元件數目 | 4 |
