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      Vishay SIHB30N60E-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SIHB30N60E-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環 球 價: 登陸后可查看

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      Vishay SIHB30N60E-GE3 MOSFET
      產品詳細信息

      N 通道 MOSFET,E 系列,低品質因數,Vishay Semiconductor

      Vishay E 系列 MOSFET 電源是高電壓晶體管,具有超低最大接通電阻、低靈敏值和快速切換功能。 它們提供各種電流額定值。 典型應用包括服務器和電信電源、LED 照明、回掃轉換器、功率因數校正 (PFC) 和開關模式電源 (SMPS)。

      特點

      低靈敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
      低輸入電容 (Ciss)
      低接通電阻(RDS(接通))
      超低柵極電荷 (Qg)
      快速切換
      減少切換和傳導損耗

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 29 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 125 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 250 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      每片芯片元件數目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 10.67mm
      寬度 9.65mm
      典型柵極電荷@Vgs 85 nC @ 10 V
      晶體管材料 Si
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